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氮化镓电源芯片的TF参数测试与可靠性评估
被引量:
1
1
作者
齐建玲
刘华宇
范凤欢
《北华航天工业学院学报》
CAS
2023年第5期1-3,共3页
本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化...
本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化评估,保证了应用电路的可靠性。
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关键词
gan电源芯片
可靠性评估
时间参数测试
NV6117
原文传递
题名
氮化镓电源芯片的TF参数测试与可靠性评估
被引量:
1
1
作者
齐建玲
刘华宇
范凤欢
机构
北华航天工业学院电子与控制工程学院
出处
《北华航天工业学院学报》
CAS
2023年第5期1-3,共3页
基金
河北省专业学位教学案例(库)建设项目(KCJSZ2021103)。
文摘
本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计。以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化评估,保证了应用电路的可靠性。
关键词
gan电源芯片
可靠性评估
时间参数测试
NV6117
Keywords
gan
IC
reliability assessment
time parameter test
NV6117
分类号
TP211 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化镓电源芯片的TF参数测试与可靠性评估
齐建玲
刘华宇
范凤欢
《北华航天工业学院学报》
CAS
2023
1
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