基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析

本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在室温下拥有较小的结电容和极低的漏电流,经过快速退火后,探测器在反向偏压200 V时的漏电流仅为0.19 nA。为探究光照对探测器的影响,又在光照和避光条件下分别对探测器进行了I-t测试,发现其对光的响应也十分敏感。最后,对肖特基型探测器在不同反偏电压下进行α粒子的能谱测试,发现在反向偏压为200 V时,探测器可达到最佳能量分辨率32.82%。