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首批商用GaN集成功率级器件诞生
1
作者
陆楠
《电子设计技术 EDN CHINA》
2010年第5期27-28,共2页
国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台——GaNpowIR。据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最...
国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台——GaNpowIR。据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,
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关键词
gan集成功率级器件
gan
powIR
iP201x
IR
原文传递
硅基GaN单片功率集成电路的研制
2
作者
吕树海
谭永亮
+2 位作者
默江辉
周国
付兴中
《通讯世界》
2024年第8期1-3,共3页
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片...
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
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关键词
硅基
gan
单片
集
成功率
IC
增强型
器件
耗尽型
器件
下载PDF
职称材料
题名
首批商用GaN集成功率级器件诞生
1
作者
陆楠
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2010年第5期27-28,共2页
文摘
国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台——GaNpowIR。据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,
关键词
gan集成功率级器件
gan
powIR
iP201x
IR
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硅基GaN单片功率集成电路的研制
2
作者
吕树海
谭永亮
默江辉
周国
付兴中
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《通讯世界》
2024年第8期1-3,共3页
文摘
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
关键词
硅基
gan
单片
集
成功率
IC
增强型
器件
耗尽型
器件
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
首批商用GaN集成功率级器件诞生
陆楠
《电子设计技术 EDN CHINA》
2010
0
原文传递
2
硅基GaN单片功率集成电路的研制
吕树海
谭永亮
默江辉
周国
付兴中
《通讯世界》
2024
0
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职称材料
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