期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于GaNFET的窄脉冲激光驱动设计及集成
1
作者
胡涛
孟柘
+5 位作者
李锋
蒋衍
胡志宏
刘汝卿
袁野
朱精果
《电子与封装》
2024年第5期79-84,共6页
激光雷达的整机性能与激光脉冲的驱动性能密切相关,现有的窄脉冲激光驱动设计主要基于Si基器件,具有较高的集成度,但很难获得更高峰值的功率输出,不能很好地匹配脉宽进一步缩窄的要求。从驱动理论出发,建立驱动电路模型,对寄生电感、器...
激光雷达的整机性能与激光脉冲的驱动性能密切相关,现有的窄脉冲激光驱动设计主要基于Si基器件,具有较高的集成度,但很难获得更高峰值的功率输出,不能很好地匹配脉宽进一步缩窄的要求。从驱动理论出发,建立驱动电路模型,对寄生电感、器件封装、驱动布局等影响激光窄脉宽的因素进行分析,通过裸芯片封装、环路布局优化以及多层叉指结构等的设计,匹配GaNFET优良的开关特性,实现了上升时间为2.01ns、脉宽为4.05ns、重复频率为500kHz、峰值功率为55W的窄脉冲激光输出,波形质量较好,封装集成度提升50%以上,可为下一代高精度、远距离、阵列集成激光雷达系统的开发奠定基础。
展开更多
关键词
窄脉冲驱动
ganfet
激光雷达
裸芯片封装
分离式放电环路
多层叉指结构
下载PDF
职称材料
基于GaNFET的车载逆变器设计
2
作者
刘天俊
潘健
+2 位作者
张雄宇
王鹏
李坤
《湖北工业大学学报》
2018年第4期48-51,共4页
逆变器采用PWM控制推挽电路实现12VDC至310VDC的升压,带死区控制的SPWM技术控制全桥逆变电路实现220V正弦交流逆变,逆变功率器件使用GaNFET TPH3002PD。实验样机以STM32F103RBT6单片机作为核心控制单元,经测试得到了稳定的220V正弦交流...
逆变器采用PWM控制推挽电路实现12VDC至310VDC的升压,带死区控制的SPWM技术控制全桥逆变电路实现220V正弦交流逆变,逆变功率器件使用GaNFET TPH3002PD。实验样机以STM32F103RBT6单片机作为核心控制单元,经测试得到了稳定的220V正弦交流电,验证了设计的可行性。
展开更多
关键词
ganfet
车载逆变器
SPWM
下载PDF
职称材料
基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究
3
作者
杨军
张磊
石浩
《信息化研究》
2019年第4期45-50,56,共7页
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势。文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的...
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势。文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的高压调制器中,进行了基于GaNFET的调制器拓扑与控制研究。文章简要介绍了调制器的技术指标,阐述了调制器的拓扑结构和工作原理,进行了仿真与试验并给出了仿真波形和测试波形,在超窄脉冲调制器研究方面取得了突破,成功研制了脉冲幅度10 kV、脉冲宽度50~100 ns、前沿小于50 ns的超窄脉冲高压脉冲调制器,并应用在W波段磁控管发射机上,对其未来应用前景作出了展望。
展开更多
关键词
全固态调制器
氮化镓晶体管
超窄脉冲
高压脉冲
直耦变压器
下载PDF
职称材料
题名
基于GaNFET的窄脉冲激光驱动设计及集成
1
作者
胡涛
孟柘
李锋
蒋衍
胡志宏
刘汝卿
袁野
朱精果
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
出处
《电子与封装》
2024年第5期79-84,共6页
文摘
激光雷达的整机性能与激光脉冲的驱动性能密切相关,现有的窄脉冲激光驱动设计主要基于Si基器件,具有较高的集成度,但很难获得更高峰值的功率输出,不能很好地匹配脉宽进一步缩窄的要求。从驱动理论出发,建立驱动电路模型,对寄生电感、器件封装、驱动布局等影响激光窄脉宽的因素进行分析,通过裸芯片封装、环路布局优化以及多层叉指结构等的设计,匹配GaNFET优良的开关特性,实现了上升时间为2.01ns、脉宽为4.05ns、重复频率为500kHz、峰值功率为55W的窄脉冲激光输出,波形质量较好,封装集成度提升50%以上,可为下一代高精度、远距离、阵列集成激光雷达系统的开发奠定基础。
关键词
窄脉冲驱动
ganfet
激光雷达
裸芯片封装
分离式放电环路
多层叉指结构
Keywords
narrow pulse drive
GaN FET
LiDAR
bare chip packaging
split discharge loop
multi-layer interdigital structure
分类号
TN784.1 [电子电信—电路与系统]
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于GaNFET的车载逆变器设计
2
作者
刘天俊
潘健
张雄宇
王鹏
李坤
机构
湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心
出处
《湖北工业大学学报》
2018年第4期48-51,共4页
基金
国家级大学生创新创业训练计划项目(201510500008)
文摘
逆变器采用PWM控制推挽电路实现12VDC至310VDC的升压,带死区控制的SPWM技术控制全桥逆变电路实现220V正弦交流逆变,逆变功率器件使用GaNFET TPH3002PD。实验样机以STM32F103RBT6单片机作为核心控制单元,经测试得到了稳定的220V正弦交流电,验证了设计的可行性。
关键词
ganfet
车载逆变器
SPWM
Keywords
ganfet
Vehicle Inverter
SPWM
分类号
TM925 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究
3
作者
杨军
张磊
石浩
机构
南京电子技术研究所
出处
《信息化研究》
2019年第4期45-50,56,共7页
文摘
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势。文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的高压调制器中,进行了基于GaNFET的调制器拓扑与控制研究。文章简要介绍了调制器的技术指标,阐述了调制器的拓扑结构和工作原理,进行了仿真与试验并给出了仿真波形和测试波形,在超窄脉冲调制器研究方面取得了突破,成功研制了脉冲幅度10 kV、脉冲宽度50~100 ns、前沿小于50 ns的超窄脉冲高压脉冲调制器,并应用在W波段磁控管发射机上,对其未来应用前景作出了展望。
关键词
全固态调制器
氮化镓晶体管
超窄脉冲
高压脉冲
直耦变压器
Keywords
solid state modulator
ganfet
ultra-narrow pulse width
high voltage pulse
direct-coupling transformer
分类号
TN952 [电子电信—信号与信息处理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaNFET的窄脉冲激光驱动设计及集成
胡涛
孟柘
李锋
蒋衍
胡志宏
刘汝卿
袁野
朱精果
《电子与封装》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
基于GaNFET的车载逆变器设计
刘天俊
潘健
张雄宇
王鹏
李坤
《湖北工业大学学报》
2018
0
下载PDF
职称材料
3
基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究
杨军
张磊
石浩
《信息化研究》
2019
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部