高质量GaN基HEMT专利技术综述

研究了高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件领域中占据主流地位的GaN基HEMT相关专利,并重点研究了该领域的专利技术发展趋势和布局。以大规模GaN膜和小尺寸GaN膜为主要切入点,针对GaN膜的材料质量所涉及的专利的技术路径以及重点技术进行深入研究,对不同路径的技术进行比较,为GaN基HEMT领域的技术发展以及专利布局提供参考。

γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展

γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。