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粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究
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作者 肖洪地 马洪磊 +4 位作者 薛成山 胡文容 马瑾 宗福建 张锡健 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1411-1414,共4页
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(X... 在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1。 展开更多
关键词 gao2h粉末 粒状GaN微晶 氮化温度
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