GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究

本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法．在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜．然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌．结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征。结果表明：水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成，该纺锤体形状GaOOH有直径大约600nm。长约为1．5。2uLm。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化：但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN：而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365nm的蓝光峰．这主要是由于样品由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN引起的。最后对排列整齐的锤体形构成的GaOOH薄膜的形成机理以及GaOOH向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析．