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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究
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作者 王海澎 木迎春 +8 位作者 彭秋思 黄佑文 李俊斌 龚晓丹 刘玥 敖雨 周旭昌 李东升 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第10期1027-1032,共6页
本文采用SiO_(2)/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行... 本文采用SiO_(2)/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究,通过增加SiO_(2)膜层厚度以及减小Ar气流量,可有效减少台面侧向钻蚀;通过减小下电极射频功率(RF),可有效消除台面底部钻蚀。采用适当厚度的SiO_(2)/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得光亮平整的刻蚀表面,表面粗糙度达到0.193 nm;刻蚀台面角度大于80°,刻蚀选择比大于8.5:1;采用优化后的ICP刻蚀条件制备的长波640×512焦平面器件暗电流密度降低约1个数量级,达到3×10^(-4)A/cm2,响应非均匀性、信噪比以及有效像元率等相关指标均有所提高,并获得了清晰的焦平面成像图。 展开更多
关键词 InAs/gasbⅡ类超晶格 sio2/SiN掩膜 ICP刻蚀
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Preparation and optical properties of GaSb nanoparticles embedded in SiO_2 composite films 被引量:1
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作者 刘发民 张立德 +1 位作者 贾俊辉 姜治 《Science China Mathematics》 SCIE 2001年第9期1162-1166,共5页
The composite films of GaSb nanoparticles embedded in SiO2 matrices were fabricated by radio-frequency magnetron co-sputtering. Transmission electron microscope and X-ray diffraction pattern indicate that the GaSb nan... The composite films of GaSb nanoparticles embedded in SiO2 matrices were fabricated by radio-frequency magnetron co-sputtering. Transmission electron microscope and X-ray diffraction pattern indicate that the GaSb nanoparticles were uniformly dispersed in SiO2 matrices. Room temperature transmission spectra exhibit a blue shift of about 2.73 eV. The blue shift increases with decreasing size of GaSb nanoparticles, suggesting the existence of quantum size effects. Room temperature Raman spectra show that there is a larger Raman peak red shift and broadening of the composite films than that of bulk GaSb. This phenomenon is explained by photon confinement effect and tensile stress effect. 展开更多
关键词 gasb/sio2 compite films RF magnetron co-sputtering optical properties quantum confinement theory tensile stress effect
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