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含铅GaSb基半导体的热电输运特性
1
作者
王鸿翔
应鹏展
+2 位作者
张钦祥
颜艳明
崔教林
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期491-496,共6页
GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga浓度减少。这些缺陷浓度的...
GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga浓度减少。这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能。例如,掺杂0.25%Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的~5.04×1023m-3突增到9.50×1025m-3;在867K时,电导率由0.56×104Ω-1·m-1增加到4.82×104Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63W·K-1·m-1下降到3.41W·K-1·m-1。最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍。
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关键词
热电材料
gasb基半导体
结构缺陷
声电输运特性
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职称材料
GaSb基半导体激光器功率效率研究
被引量:
11
2
作者
王跃
刘国军
+4 位作者
李俊承
安宁
李占国
王玉霞
魏志鹏
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期54-57,共4页
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150℃~450℃退火温度下欧姆接触的实验研究,结果表明,...
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150℃~450℃退火温度下欧姆接触的实验研究,结果表明,新结构能够在250℃~450℃退火温度和10min退火时间下形成良好的欧姆接触并具有较低的接触电阻率,有效地提高了GaSb基半导体激光器的功率效率。俄歇射线能谱分析表明,新型金属化结构中各原子之间的互扩散减少,结构表面形貌光滑、平整,有助于半导体激光器后续封装的进行,有效地提高了GaSb基半导体激光器的可靠性。
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关键词
激光器
gasb基半导体
激光器
欧姆接触
接触电阻率
功率效率
原文传递
不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能
被引量:
1
3
作者
张晓军
应鹏展
+2 位作者
崔教林
付红
颜艳明
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期108-111,共4页
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也...
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。
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关键词
gasb基半导体
放电等离子烧结
热电性能
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职称材料
题名
含铅GaSb基半导体的热电输运特性
1
作者
王鸿翔
应鹏展
张钦祥
颜艳明
崔教林
机构
黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室
中国矿业大学材料科学与工程学院
宁波工程学院材料学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期491-496,共6页
基金
国家自然科学基金(51171084)
浙江省自然科学基金(LY14E010003)
宁波市自然科学基金(2014A610016)
文摘
GaSb是III-V族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用。研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pb-Sb及施主缺陷Pb+Ga,但本征缺陷V3-Ga和Sb2+Ga浓度减少。这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能。例如,掺杂0.25%Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的~5.04×1023m-3突增到9.50×1025m-3;在867K时,电导率由0.56×104Ω-1·m-1增加到4.82×104Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63W·K-1·m-1下降到3.41W·K-1·m-1。最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍。
关键词
热电材料
gasb基半导体
结构缺陷
声电输运特性
Keywords
thermoelectric material
gasb
-based semiconductor
structural defect
acoustic charge transport behavior
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
GaSb基半导体激光器功率效率研究
被引量:
11
2
作者
王跃
刘国军
李俊承
安宁
李占国
王玉霞
魏志鹏
机构
长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期54-57,共4页
基金
基础科研项目(A3620080229)
国家自然科学基金(61006039)资助课题
文摘
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150℃~450℃退火温度下欧姆接触的实验研究,结果表明,新结构能够在250℃~450℃退火温度和10min退火时间下形成良好的欧姆接触并具有较低的接触电阻率,有效地提高了GaSb基半导体激光器的功率效率。俄歇射线能谱分析表明,新型金属化结构中各原子之间的互扩散减少,结构表面形貌光滑、平整,有助于半导体激光器后续封装的进行,有效地提高了GaSb基半导体激光器的可靠性。
关键词
激光器
gasb基半导体
激光器
欧姆接触
接触电阻率
功率效率
Keywords
lasers
gasb
-based semiconductor lasers
ohmic contact
contact resistance
power efficiency
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能
被引量:
1
3
作者
张晓军
应鹏展
崔教林
付红
颜艳明
机构
中国矿业大学
宁波工程学院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期108-111,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50871056)
文摘
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。
关键词
gasb基半导体
放电等离子烧结
热电性能
Keywords
gasb
based semiconductors
spark plasma sintering(SPS)
thermoelectric property
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含铅GaSb基半导体的热电输运特性
王鸿翔
应鹏展
张钦祥
颜艳明
崔教林
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
2
GaSb基半导体激光器功率效率研究
王跃
刘国军
李俊承
安宁
李占国
王玉霞
魏志鹏
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
11
原文传递
3
不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能
张晓军
应鹏展
崔教林
付红
颜艳明
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
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