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掺硫GaSe电子结构及光学性质的第一性原理研究
1
作者
张顺如
邓晓鹏
谢林华
《怀化学院学报》
2014年第11期35-38,共4页
基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料Ga Se晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质.计算的纯Ga Se晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加Ga Se...
基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料Ga Se晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质.计算的纯Ga Se晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加Ga Se1-xSx晶格常数呈减小趋势.计算得到的电子带结构表明,Ga Se1-xSx是直接带隙半导体材料,能带带隙宽带随着硫含量增加而逐步增加.通过分析计算所得的Ga Se1-xSx光吸收曲线发现该系列晶体具有良好的光学质量,随组分比增加,固溶体Ga Se1-xSx吸收曲线低能端光吸收限蓝移.
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关键词
gase1-xsx
密度函数理论
电子结构
光学性质
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职称材料
题名
掺硫GaSe电子结构及光学性质的第一性原理研究
1
作者
张顺如
邓晓鹏
谢林华
机构
怀化学院物理与信息工程系
四川师范大学物理与电子工程学院
出处
《怀化学院学报》
2014年第11期35-38,共4页
基金
湖南省教育厅资助科研项目"非线性光学晶体磷化锗锌的光电物性及掺杂调控"(13C711)
文摘
基于第一性原理密度泛函理论,采用局域密度近似的赝势平面波方法计算了掺硫元素红外光学材料Ga Se晶体的物性,包括晶体结构参数优化、微观电子结构和宏观光学性质.计算的纯Ga Se晶格常数的结果与其他实验值较吻合,随着硫含量的增加Ga Se1-xSx晶格常数呈减小趋势.计算得到的电子带结构表明,Ga Se1-xSx是直接带隙半导体材料,能带带隙宽带随着硫含量增加而逐步增加.通过分析计算所得的Ga Se1-xSx光吸收曲线发现该系列晶体具有良好的光学质量,随组分比增加,固溶体Ga Se1-xSx吸收曲线低能端光吸收限蓝移.
关键词
gase1-xsx
密度函数理论
电子结构
光学性质
Keywords
gase1-xsx
DFT
electronic structure
optical properties
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺硫GaSe电子结构及光学性质的第一性原理研究
张顺如
邓晓鹏
谢林华
《怀化学院学报》
2014
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