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Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展 被引量:1
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作者 田晶 陈金伟 +3 位作者 杨鑫 王刚 汪雪芹 王瑞林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期13-18,共6页
简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
关键词 Cu(Inxga1-x)se2(CIGS)薄膜 薄膜太阳电池 制备方法
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高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜
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作者 谭黎 张俊 +3 位作者 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页
β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。 展开更多
关键词 β-(Al_(x)ga_(1-x))_(2)O_(3) ga_(2)O_(3) AL掺杂 半导体薄膜 高温扩散 可调带隙 磁控溅射
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一步法电化学沉积Cu(In1-x, Gax)Se2薄膜的特性 被引量:8
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作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 Cu(In1-x gax)se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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CdS_xSe_(1-x)包覆TiO_2纳米棒壳核结构的制备及其在杂化太阳电池的应用 被引量:2
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作者 郝彦忠 王尚鑫 +3 位作者 孙宝 裴娟 范龙雪 李英品 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期2135-2139,2143,共6页
采用水热法在掺氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)基底上制备了金红石型的TiO2纳米棒阵列;然后采用电化学方法在TiO2纳米棒阵列上沉积不同厚度的CdSxSe1-x纳米晶,形成了CdSxSe1-x纳米晶包覆TiO2纳米棒的CdSxSe1-x/TiO2壳核结构;利用扫描电镜(S... 采用水热法在掺氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)基底上制备了金红石型的TiO2纳米棒阵列;然后采用电化学方法在TiO2纳米棒阵列上沉积不同厚度的CdSxSe1-x纳米晶,形成了CdSxSe1-x纳米晶包覆TiO2纳米棒的CdSxSe1-x/TiO2壳核结构;利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS)等对其形貌、结构组成等进行了分析和表征,结合循环伏安法及其吸收光谱确定了CdSxSe1-x纳米晶的能级位置。最后以P3HT/CdSxSe1-x/TiO2复合薄膜材料为光活性层组装成固态纳米结构杂化太阳电池,研究了CdSxSe1-x壳层厚度对该电池光电转换性能的影响,结果表明转换效率最高可达到0.68%。 展开更多
关键词 TIO2 纳米棒阵列 CdSx se1-x 纳米晶 壳核结构 杂化太阳电池
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低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜
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作者 肖健平 何青 +1 位作者 陈亦鲜 夏明 《科技导报》 CAS CSCD 2008年第11期53-55,共3页
采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结... 采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。 展开更多
关键词 低温沉积 Cu(Inxga1-x)se2 结构特性
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单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料中硒原子的晶界择优掺杂和富集 被引量:3
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作者 吕丹辉 朱丹诚 金传洪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1514-1519,共6页
采用球差校正扫描透射电子显微镜(STEM)研究化学气相沉积法制备的二维MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料中Se元素掺杂、取代的微观过程和机理。定量和统计STEM表征结果发现:Se原子晶界处富集显著,晶界处Se元素含量远高于晶畴内部。进一步研... 采用球差校正扫描透射电子显微镜(STEM)研究化学气相沉积法制备的二维MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料中Se元素掺杂、取代的微观过程和机理。定量和统计STEM表征结果发现:Se原子晶界处富集显著,晶界处Se元素含量远高于晶畴内部。进一步研究表明晶界中掺杂取代Se原子的浓度和分布与晶界结构密切相关。主要与晶界处的局域畸变及其诱导的反应活性有关。该结果对于二维过渡金属硫族化物合金体系的可控合成及应用拓展具有重要意义。 展开更多
关键词 MoS2(1-x)se2x合金 晶界富集 原子分辨扫描透射电子显微镜
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垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控
7
作者 敖伟栋 刘妍 +5 位作者 马青山 刘欢 周斌 郑霄家 于东麒 张文华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1083-1088,共6页
二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO_2/Si衬底上生长了垂直排列ReS_2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se_(2x... 二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO_2/Si衬底上生长了垂直排列ReS_2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,并研究了硒化温度(700、850和920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5h)对ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS_(2(1-x))Se_(2x)样品中Se含量可以在x=0(纯ReS_2)到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55eV(800nm)调变到1.28eV(969 nm)。SEM结果显示ReS_(2(1-x))Se_(2x)纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 ReS2(1-x)se2x ReS2 硒化 垂直排列 带隙调控
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ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质研究
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作者 白雅楠 吕燕伍 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期441-449,共9页
Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(A... Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)作为势垒层对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质的影响,首先介绍了ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的结构和性质,分析计算了由于ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的自发极化和压电极化所产生的极化面电荷密度,以及极化对2DEG浓度产生的影响,接着分析了在不同Al摩尔组分下,ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层厚度与合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射之间的关系。最后通过计算得出结论:界面粗糙度散射和极性光学声子散射对ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结的电子输运性质有重要影响,合金无序散射对异质结的输运性质影响较小;2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的电子迁移率强弱由ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)势垒层的厚度和Al摩尔组分共同决定。 展开更多
关键词 2DEG浓度 电子迁移率 ε-(Al_(x)ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-ga_(2)O_(3)异质结 合金无序散射 界面粗糙度散射 极性光学声子散射
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Deciphering the Origins of P1-Induced Power Losses in Cu(In_(x),Ga_(1–x))Se2(CIGS)Modules Through Hyperspectral Luminescence
9
作者 César Omar Ramírez Quiroz Laura-Isabelle Dion-Bertrand +2 位作者 Christoph J.Brabec Joachim Müller Kay Orgassa 《Engineering》 SCIE EI 2020年第12期1395-1402,共8页
In this report,we show that hyperspectral high-resolution photoluminescence mapping is a powerful tool for the selection and optimiz1ation of the laser ablation processes used for the patterning interconnections of su... In this report,we show that hyperspectral high-resolution photoluminescence mapping is a powerful tool for the selection and optimiz1ation of the laser ablation processes used for the patterning interconnections of subcells on Cu(Inx,Ga1-x)Se2(CIGS)modules.In this way,we show that in-depth monitoring of material degradation in the vicinity of the ablation region and the identification of the underlying mechanisms can be accomplished.Specifically,by analyzing the standard P1 patterning line ablated before the CIGS deposition,we reveal an anomalous emission-quenching effect that follows the edge of the molybdenum groove underneath.We further rationalize the origins of this effect by comparing the topography of the P1 edge through a scanning electron microscope(SEM)cross-section,where a reduction of the photoemission cannot be explained by a thickness variation.We also investigate the laser-induced damage on P1 patterning lines performed after the deposition of CIGS.We then document,for the first time,the existence of a short-range damaged area,which is independent of the application of an optical aperture on the laser path.Our findings pave the way for a better understanding of P1-induced power losses and introduce new insights into the improvement of current strategies for industry-relevant module interconnection schemes. 展开更多
关键词 Cu(In_(x) ga_(1-x))se2 Cell-to-module efficiency gap P1-induced power losses Hyperspectral photoluminescence Laser ablation short-range heat effect
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层数变化对堆叠生长的MoS_(2(1-x))Se_(2x)电子结构的影响
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作者 王文杰 康智林 +4 位作者 宋茜 王鑫 邓加军 丁迅雷 车剑滔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第24期83-91,共9页
二维过渡金属硫化物因其独特的光电特性在多功能光电器件方面具有广泛的应用前景.为了进一步拓展其在微纳光电子器件方面的应用范围,并提高器件性能,人们开展了通过合金手段改变端组分材料配比实现对二维半导体材料带隙调控的带隙工程... 二维过渡金属硫化物因其独特的光电特性在多功能光电器件方面具有广泛的应用前景.为了进一步拓展其在微纳光电子器件方面的应用范围,并提高器件性能,人们开展了通过合金手段改变端组分材料配比实现对二维半导体材料带隙调控的带隙工程以及调控生长条件改变材料形貌和结构的缺陷工程研究.本文利用光学、原子力和扫描电子显微镜等设备以及拉曼和光致发光光谱等手段对由化学气相沉积法生长出来的堆叠状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的性质进行了研究.不同于大多数单层或少层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的情况,堆叠生长的阶梯状MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金材料在厚度从2.2 nm (约3层)一直增加到5.6 nm (约7层)时都显出了较强的发光特性,甚至在100 nm厚时,样品的发光谱线仍具有两个发光峰.两个激子发光峰分别来源于自旋轨道耦合造成的价带劈裂.随着厚度的增加,两个峰都逐渐红移,显示了合金掺杂时的能带弯曲效应.拉曼光谱给出了类MoS_2和类MoSe_2两套振动模.随着厚度的增加,拉曼峰位几乎不移动,但面内的两个振动模E_(2g(Mo-Se))和E_(2g(Mo-s))逐渐显现并增强.显然缺陷和应力是影响堆叠生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金样品电子结构的主要因素,这为特殊功能器件的制备和可控缺陷工程的研究提供了有益的参考. 展开更多
关键词 化学气相沉积法 MoS2(1-x)se2x合金 堆叠生长 电子结构
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金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se_2太阳电池性能的影响 被引量:3
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作者 张力 何青 +6 位作者 徐传明 薛玉明 王春婧 施成营 肖建平 李长健 孙云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1781-1784,共4页
研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散... 研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0·87cm2)转换效率分别为10·7%,7·95%和8·58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用. 展开更多
关键词 三步共蒸发工艺 Cu(Inxga1-x)se2 柔性不锈钢衬底 Cr阻挡层 FeInse2
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Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)太阳能电池的制备和表征
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作者 姜雨虹 李佳烨 +3 位作者 李雪 李丹 赵佳丽 刘洋 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2023年第4期8-12,共5页
采用简单的溶胶-凝胶法制备了高质量的Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)(CZTGSSe)前驱体薄膜.在500℃下进行17 min的硒化,得到了高质量的CZTGSSe薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究... 采用简单的溶胶-凝胶法制备了高质量的Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S,Se)_(4)(CZTGSSe)前驱体薄膜.在500℃下进行17 min的硒化,得到了高质量的CZTGSSe薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等研究了CZTGSSe薄膜的物理化学性质.实验结果表明,利用在CZTSSe吸收层中掺杂Ge的方法可以得到较高的迁移率和光电转换效率(PCE).与Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)太阳能电池相比,观察到5%-CZTGSSe太阳能电池的开路电压(V_(oc))增加了104 mV,PCE也从3.14%增加到5.28%.因此,在CZTSSe层中掺杂Ge不仅是一种可以获得具有较高V_(oc)和PCE的CZTSSe基太阳能电池的方法,也是一种可以促进晶粒生长、提高薄膜质量的有效途径. 展开更多
关键词 Cu_(2)Zn(Sn_(1-x)Ge_(x))(S se)_(4)薄膜 溶胶-凝胶法 光电性能 太阳能电池
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Ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) alloy saturable absorber for passively Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers 被引量:1
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作者 CHENXI DOU WEN WEN +4 位作者 JUNLI WANG MENGYUAN MA LIMING XIE CHING-HWA HO ZHIYI WEI 《Photonics Research》 SCIE EI CSCD 2019年第3期283-288,共6页
We report Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers using ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) as saturable absorbers(SAs). The modulation depth and saturable intensity of the film SA are 1.8% and 0.046 MW∕cm2.... We report Q-switched and mode-locked erbium-doped all-fiber lasers using ternary ReS_(2(1-x))Se_(2x) as saturable absorbers(SAs). The modulation depth and saturable intensity of the film SA are 1.8% and 0.046 MW∕cm2.In Q-switched mechanism output, the pulse was centered at 1531.1 nm with maximum pulse energy and minimum pulse width of 28.29 nJ and 1.07 μs, respectively. In mode-locked operation, the pulse was centered at1561.15 nm with pulse width of 888 fs, repetition rate of 2.95 MHz, and maximum pulse energy of 0.275 nJ. To the best of our knowledge, this is the first report on the mode-locked Er^(3+)-doped fiber laser using ternary transition metal dichalcogenides. This work suggests prospective 2 D-material SAs can be widely used in versatile fields due to their attractive optoelectronic and tunable energy bandgap properties. 展开更多
关键词 TERNARY ReS2(1-x)se2x ALLOY saturable absorber MODE-LOCKED ERBIUM-DOPED all-fiber lasers Q-switched
原文传递
Ga-Cd-O的电子结构和光学性质的第一性原理计算
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作者 张法碧 苗国斌 +2 位作者 张荣辉 周娟 周飞 《桂林电子科技大学学报》 2022年第2期87-94,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Cd掺杂对β-Ga_(2)O_(3)物理性能的影响。通过建立β-Ga_(2)O_(3)模型,用Cd原子替代部分的Ga原子后构建了不同Cd掺杂量模型(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)(x=12.5%、25%、50%),然后对不同... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Cd掺杂对β-Ga_(2)O_(3)物理性能的影响。通过建立β-Ga_(2)O_(3)模型,用Cd原子替代部分的Ga原子后构建了不同Cd掺杂量模型(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)(x=12.5%、25%、50%),然后对不同的掺杂模型进行了几何结构优化,获得了稳定的晶格结构和晶格参数,并对它们的能带结构、态密度以及光学性质等进行了分析。计算结果表明,Cd掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)晶胞体积增大,稳定性减小。随着Cd掺杂浓度的增加,(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)体系的带隙表现出先减小后增大的趋势;并且随着Cd掺杂量的不同(12.5%、25%、50%),掺杂体系(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)的材料性质发生了变化,由β-Ga_(2)O_(3)的间接带隙材料先变为直接带隙材料(Cd浓度为12.5%、25%),然后又变回到间接带隙材料(Cd浓度为50%)。此外,掺入Cd后降低了体系在一定能量范围内(6~25 eV)的吸收系数和反射率,从而提高了透光率。以上研究表明,选择合适的掺杂浓度可以实现光电性质丰富可调的(Cd_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)合金材料。 展开更多
关键词 第一性原理 能带结构 光电性质 (Cd_(x)ga_(1-x))_(2)O_(3)合金 β-ga_(2)O_(3)
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