Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.

GaInP_2/Ge异质结外延材料特性分析

研制了一种基于Ge衬底的异质结热光伏(TPV)电池,并且在Ge衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法外延单晶材料GaInP2和GaAs,对GaInP2/Ge异质结界面进行了断面扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电化学电容电压(ECV)和光致荧光(PL)谱的测试分析,研究了基于Ge衬底的异质结n-GaInP2/p-Ge界面的结构、光学和电学特性,得到了高质量、宽禁带的单晶外延层,与Ge衬底晶格匹配良好,利于更多光子进入到吸收层,为制备高效率TPV电池打下良好基础。