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Relationship between Rural Industry Revitalization and Land Resource Utilization and Its Practice in Ganning Town, Wanzhou District of Chongqing
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作者 Jinrong YANG Linlin CAO Zisheng YANG 《Asian Agricultural Research》 2023年第8期41-48,58,共9页
[Objectives]To explore the relationship between rural industry revitalization and land resource utilization.[Methods]Starting from the connotation of rural industry revitalization and land resource utilization,this st... [Objectives]To explore the relationship between rural industry revitalization and land resource utilization.[Methods]Starting from the connotation of rural industry revitalization and land resource utilization,this study explores the relationship between rural industry revitalization and land resource utilization,Taking Ganning Town with typical mountain industry as the research area,this paper analyzed the relationship between rural industry revitalization and land resource utilization through a combination of field research and literature analysis,found out the existing problems and came up with pertinent recommendations.[Results](i)Rural industry revitalization is both mutually reinforcing and mutually restrictive.(ii)In this study,the land use types of Ganning Town were divided into nine categories,including farmland,garden land,forest land and grassland,and their industrial functions and development models were identified,and the corresponding framework of land resource utilization and rural industry revitalization in Ganning Town was constructed.(iii)In view of the problems existing in Ganning Town,this paper proposed to change the ideological concept and enhance understanding,improve the utilization rate of idle land and promote rural industry revitalization,and accelerate land consolidation and restoration,and promote sustainable development.[Conclusions]It is necessary to correctly understand the two-way role and dynamic change relationship between rural industry revitalization and land resource utilization,solve the problem from the perspective of development,adopt development strategies according to local conditions,and take the road of sustainable development. 展开更多
关键词 Rural industry revitalization Land resource utilization RELATIONSHIP ganning Town in Chongqing
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基于生成对抗Transformer的电力负荷数据异常检测 被引量:2
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作者 陆旦宏 范文尧 +3 位作者 杨婷 倪敏珏 李思琦 朱晓 《电力工程技术》 北大核心 2024年第1期157-164,共8页
电力负荷异常数据将给电力系统规划、负荷预测以及用能分析等带来较大的负面影响,因此亟须对负荷数据异常进行检测与识别。首先,针对电力负荷数据异常分类、原因及其特征开展分析。其次,改进传统Transformer编码器结构,采用多头注意力... 电力负荷异常数据将给电力系统规划、负荷预测以及用能分析等带来较大的负面影响,因此亟须对负荷数据异常进行检测与识别。首先,针对电力负荷数据异常分类、原因及其特征开展分析。其次,改进传统Transformer编码器结构,采用多头注意力层代替掩码多头注意力层,同时移除前馈网络,以提高模型对负荷时序序列的全局注意力。基于生成对抗网络(generative adversarial networks,GAN)生成器与判别器的博弈结构,提出一种改进的GAN-Transformer模型,以更好地捕捉趋势性特征并加速模型收敛。然后,引入多阶段映射与训练方法,综合焦点分数打分机制,通过分阶段负荷序列重构帮助模型更好地提取负荷数据异常特征。最后,算例分析结果表明,GAN-Transformer模型在负荷数据异常检测精确率、召回率、F_(1)值以及训练时间方面均具有更优的性能,验证了所提方法的有效性和优越性。文中研究工作为基于深度学习进一步实现电力负荷数据异常分类与数据修复提供了有益参考。 展开更多
关键词 电力负荷数据 数据异常检测 生成对抗网络(GAN)-Transformer 多阶段训练与映射 焦点分数 序列重构
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基于生成式对抗网络和多模态注意力机制的扩频与常规调制信号识别方法 被引量:1
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作者 王华华 张睿哲 黄永洪 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1212-1221,共10页
针对低信噪比条件下的扩频与常规调制信号分类精度低的问题,该文提出一种基于生成式对抗网络(GAN)、卷积神经网络(CNN)和长短期记忆(LSTM)网络的多模态注意力机制信号调制识别方法。首先生成待识别信号的时频图像(TFIs),并利用GAN实现T... 针对低信噪比条件下的扩频与常规调制信号分类精度低的问题,该文提出一种基于生成式对抗网络(GAN)、卷积神经网络(CNN)和长短期记忆(LSTM)网络的多模态注意力机制信号调制识别方法。首先生成待识别信号的时频图像(TFIs),并利用GAN实现TFIs降噪处理;然后将信号的同相正交数据(I/Q data)与TFIs作为模型输入,并搭建基于CNN的TFIs识别支路和基于LSTM的I/Q数据识别支路;最后,在模型中添加注意力机制,增强I/Q数据和TFIs中重要特征对分类结果的决定作用。实验结果表明,该文所提方法相较于单模态识别模型以及其它基线模型,整体分类精度有效提升2%~7%,并在低信噪比条件下具备更强的特征表达能力和鲁棒性。 展开更多
关键词 深度学习 自动调制识别 生成对抗网络(GAN) 多模态特征 时频分布
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GAN与Diffusion在传统纹样设计中的实验研究
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作者 李莉 毛子晗 +2 位作者 吕思奇 袁晨旭 彭玉旭 《丝绸》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期9-22,共14页
传统纹样是中国优秀传统文化的重要组成部分,传统人工设计已经无法满足纹样的现代设计需求,生成式AI为传统纹样设计提供了新的设计路径和方法。文章将生成式AI应用于传统纹样设计中,通过适配实验优选基于GAN的Style GAN和基于Diffusion... 传统纹样是中国优秀传统文化的重要组成部分,传统人工设计已经无法满足纹样的现代设计需求,生成式AI为传统纹样设计提供了新的设计路径和方法。文章将生成式AI应用于传统纹样设计中,通过适配实验优选基于GAN的Style GAN和基于Diffusion的Stable Diffusion两种主流图像生成模型进行实验,采用技术分析与艺术分析相结合,对实验结果进行多角度、多维度对比分析,为设计师选择生成设计方法提供参照。实验结果表明,两个模型均能满足基本的艺术设计需求。Style GAN模型生成的纹样图像更接近真实图像的分布,具有更高的图像质量和多样性;Stable Diffusion模型能较好地传承传统纹样的基因,艺术性与创造性兼具,更加符合传统纹样的艺术设计需求。 展开更多
关键词 GAN DIFFUSION 传统纹样 评价指标 对比分析 实验研究
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一种L波段300W GaN脉冲功率模块
5
作者 董四华 刘英坤 +1 位作者 高永辉 秦龙 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期555-560,共6页
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻... 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻抗参数提取,并以此为基础设计了小型化匹配网络进行阻抗变换。基于高压驱动芯片和开关器件芯片设计了小型化高压脉冲调制电路。测试结果表明,在工作频率990~1130 MHz、工作电压50 V、脉冲宽度100μs、占空比10%下,功率模块脉冲输出功率大于300 W,功率附加效率大于53%,功率增益大于38 dB。功率模块尺寸为30 mm×30 mm×8 mm。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术 高压脉冲调制 L波段 功率模块
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低成本高结晶GaN纳米线柔性薄膜制备及其场发射性能
6
作者 王如志 张京阳 +2 位作者 杨孟骐 王佳兴 郑坤 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1038-1048,共11页
旨在探究非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂在柔性碳膜上制备高结晶的GaN纳米线的可行性,并研究其场发射特性及机理。采用非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂,在柔性碳膜上制备了直径为20~100 nm、长度为3~15μm的高结晶的GaN纳米线,并... 旨在探究非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂在柔性碳膜上制备高结晶的GaN纳米线的可行性,并研究其场发射特性及机理。采用非贵金属Cu替代贵金属Au作为催化剂,在柔性碳膜上制备了直径为20~100 nm、长度为3~15μm的高结晶的GaN纳米线,并通过工艺参数对其结构与尺寸进行调控,得到GaN纳米线薄膜的催化生长机制。通过对其场发射特性进行研究,发现其场发射性能与其纳米结构紧密相关,催化剂厚度以及薄膜弯曲状态可显著影响其场发射性能。结果表明,采用Cu作为催化剂所制备的GaN纳米线柔性薄膜的场发射电流具有较好的稳定性。该研究为GaN纳米线的低成本制备方法提供了可借鉴思路,同时也为场发射柔性器件的制作提供了可行的技术手段。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 纳米线 场发射 柔性薄膜 CU催化剂 低成本制备
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GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型
7
作者 姚若河 姚永康 耿魁伟 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1-8,共8页
GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究... GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究给出考虑自热和准饱和效应的R_(D,S)模型。首先由源漏通道区温度T_(CH)与耗散功率P_(diss)的关系,推导出非线性自热效应模型。进一步基于准饱和效应和Trofimenkoff模型,给出源漏通道区电子漂移速度与电场强度的关系表达式,构建非线性R_(D,S)模型。在环境温度Tamb=300~500 K时,源漏通道区二维电子气2DEG面密度n_(S,acc)(T_(CH))和迁移率μ_(acc)(T_(CH))随T_(CH)的升高而下降,这导致低偏置条件下的源漏通道区电阻R_(D0,S0)随T_(CH)呈非线性增长。将本研究和文献报道的R_(D,S)模型与TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真数据进行对比,结果显示:本研究与文献报道的漏通道区电阻RD模型的平均相对误差分别为0.32%和1.78%,均方根误差(RMSE)分别为0.039和0.20Ω;RS模型的平均相对误差分别为0.76%和1.73%,RMSE分别为0.023和0.047Ω。与文献报道的实验数据进行对比,结果显示:本研究与文献RD模型的平均相对误差分别为0.91%和1.59%,RMSE分别为0.012和0.015Ω;RS平均相对误差分别为1.22%和2.77%,RMSE分别为0.0015和0.0034Ω。本研究提出的R_(D,S)模型具有更低的平均相对误差和均方根误差,能够更加准确地表征GaN HEMT线性工作区R_(D,S)随漏源电流I_(DS)的变化。可将本模型用于器件的设计优化,也可作为Spice模型用于电路仿真。 展开更多
关键词 源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应 准饱和效应
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基于图像小波域自适应干扰的GAN生成人脸反取证
8
作者 陈北京 李玉茹 舒华忠 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1330-1338,共9页
针对现有生成对抗网络(GAN)生成人脸反取证方法攻击迁移性不强的问题,提出了一个基于图像小波域自适应干扰的GAN生成人脸反取证方法以提升攻击迁移性.该方法通过对GAN生成人脸图像的小波域信息(即图像经过小波分解后的频率分量)施加扰... 针对现有生成对抗网络(GAN)生成人脸反取证方法攻击迁移性不强的问题,提出了一个基于图像小波域自适应干扰的GAN生成人脸反取证方法以提升攻击迁移性.该方法通过对GAN生成人脸图像的小波域信息(即图像经过小波分解后的频率分量)施加扰动以实现其对取证模型的抵抗,并且分别在空域和频域上基于最小可觉察误差(JND)设计自适应扰动阈值,对图像不同像素点位置设置不同的扰动强度,从而增强扰动的人眼不可感知性.此外,还设计了一种数据增强方式对反取证人脸进行数据分布多样性扩充,以进一步提升攻击迁移性.实验结果表明,与6种基线方法相比,所提方法生成的反取证人脸在保证扰动对人眼不可感知前提下具有更强的攻击迁移性. 展开更多
关键词 对抗扰动 GAN生成人脸 反取证 离散小波变换(DWT) 最小可觉察误差
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基于GaN器件与磁集成技术的车载充电机实验平台研究
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作者 昝小舒 李正航 +2 位作者 张笑 程鹤 张动宾 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2024年第7期94-102,共9页
随着新能源汽车的普及,对车载充电机的要求越来越高。为了有效提升整机效率和功率密度,将GaN器件与磁集成技术应用于车载充电机,进行了实验平台研究。基于GaN器件设计了两级式车载充电机拓扑结构与外围电路,通过制作磁集成平面变压器,... 随着新能源汽车的普及,对车载充电机的要求越来越高。为了有效提升整机效率和功率密度,将GaN器件与磁集成技术应用于车载充电机,进行了实验平台研究。基于GaN器件设计了两级式车载充电机拓扑结构与外围电路,通过制作磁集成平面变压器,优化了CLLC变换器,完成了整机控制程序设计及2kW车载充电机实验样机搭建,并对样机进行了实验测试与波形分析。实验结果表明,实验样机具有良好的稳态特性与动态特性,整机功率因数在0.98以上,满载峰值效率达到95.22%。该平台能够帮助学生加深对电力电子技术的认识,掌握新型电力电子器件的特性及应用,锻炼实践操作能力,提高相关课程的教学质量。 展开更多
关键词 车载充电机 GAN器件 磁集成技术
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MACDCGAN的发电机轴承故障诊断方法
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作者 曹洁 尹浩楠 王进花 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2024年第11期227-235,共9页
在实际工况中,发电机中传感器采集到的故障样本数据有限,使用基于深度学习的方法进行故障诊断存在过拟合问题导致模型泛化能力较差以及诊断精度不高。为了解决这个问题,采用样本扩充的思路,提出了一种改进的辅助分类器条件深度卷积生成... 在实际工况中,发电机中传感器采集到的故障样本数据有限,使用基于深度学习的方法进行故障诊断存在过拟合问题导致模型泛化能力较差以及诊断精度不高。为了解决这个问题,采用样本扩充的思路,提出了一种改进的辅助分类器条件深度卷积生成对抗网络(MACDCGAN)的故障诊断方法。通过对采集的一维时序信号进行小波变换增强特征,构建简化结构参数的条件深度卷积生成对抗网络模型生成样本,并在模型中采用Wasserstein距离优化损失函数解决训练过程中存在模式崩塌和梯度消失的缺点;通过添加一个独立的分类器来改进分类模型的兼容性,并在分类器中引入学习率衰减算法增加模型稳定性。试验结果表明,该方法可以有效地提高故障诊断的精度,并且验证了所提模型具有良好的泛化性能。 展开更多
关键词 发电机 特征提取 生成对抗网络(GAN) 卷积神经网络(CNN) 故障诊断
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一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路
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作者 王忠 秦世清 +1 位作者 王福学 边国辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期483-491,共9页
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。... GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路,并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径,抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真,并搭建实验平台进行实测验证,结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下,证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 驱动电路 串扰 桥式电路 电路振荡
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具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
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作者 王忠 曹通 +1 位作者 王福学 边国辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期263-271,共9页
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电... 提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电容和有源开关管组成。该变换器在主开关管关断期间将开关管的电压浪涌钳位为恒定电压,由于有源开关管驱动信号由变压器的次级侧电流控制,因此不需要单独的控制电路。为验证所提出的变换器和控制电路的有效性,搭建了一个60 W的AC-DC功率变换器,测试结果表明,主开关管的最大电压浪涌约为450 V,具有高达91.6%的能量转换效率。 展开更多
关键词 反激式变换器 电压浪涌 自驱动有源缓冲器 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) DC-DC
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基于生成对抗网络数据增强的舰炮可靠性分析
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作者 聂磊 杨浩明 +2 位作者 尹业寒 董正琼 周向东 《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心 2024年第4期38-43,50,共7页
舰炮故障数据不足会导致其可靠性分析变得极其困难。为解决故障数据不足这一问题,采用生成式对抗网络(generative adversarial network,GAN)对故障样本进行数据增强。建立GAN数据增强深度神经网络的舰炮可靠性分析模型,并与原始数据进... 舰炮故障数据不足会导致其可靠性分析变得极其困难。为解决故障数据不足这一问题,采用生成式对抗网络(generative adversarial network,GAN)对故障样本进行数据增强。建立GAN数据增强深度神经网络的舰炮可靠性分析模型,并与原始数据进行可靠性分析获得的指标进行了对比。结果表明,利用GAN数据增强后的扩充样本得到的指数分布拟合精度及威布尔分布拟合精度分别提高了5.40%和11.90%,相较于原始数据有了显著提升。为实现舰炮故障数据可靠性分析提供了方法和思路。 展开更多
关键词 舰炮故障 小样本 GAN 数据增强 可靠性
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双栅GaN HEMT生物传感器仿真研究
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作者 王保柱 刘莎 +2 位作者 张明 杨琳 段磊 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期411-416,共6页
GaN HEMT因具有优异的高灵敏度、快速响应特性、电学特性和生物相容性,其在生物传感领域具有广泛的应用潜力。为提升GaN HEMT生物传感器直接检测生物分子的灵敏度,提出了一种双栅结构分析模型,并使用Silvaco TCAD工具研究了其电学特性... GaN HEMT因具有优异的高灵敏度、快速响应特性、电学特性和生物相容性,其在生物传感领域具有广泛的应用潜力。为提升GaN HEMT生物传感器直接检测生物分子的灵敏度,提出了一种双栅结构分析模型,并使用Silvaco TCAD工具研究了其电学特性。从漏极电流、阈值电压和电势方面分析了单栅和双栅器件的结构特性,比较了其灵敏度。研究表明,在特定生物分子(尿酸酶、链霉亲和素、蛋白质和胆固醇氧化酶)的检测中,双栅GaN HEMT生物传感器的灵敏度分别比单栅器件高1.55%,2.18%,1.07%和3.3%。其中,增加空腔长度可以为生物分子与生物功能化层(AlGaN)的相互作用提供更多的面积,从而使传感器的灵敏度增加。因此,双栅和较大空腔的GaN HEMT生物传感器器件更适用于高灵敏度的应用。 展开更多
关键词 双栅 生物传感器 GAN HEMT 灵敏度
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非分段GaN HEMT EF2类功率放大器理论研究
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作者 于莉媛 徐国龙 褚泰然 《现代电子技术》 北大核心 2024年第12期15-20,共6页
目前,增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题,提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程... 目前,增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题,提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模;再对GaN HEMT的输出特性进行仿真,并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。仿真结果表明,所提模型的收敛性较好,收敛速度快,有较高的准确性。另外,将此模型应用于EF2类功率放大器中,研究该模型对传输效率的影响。仿真结果进一步表明:该模型具有良好的收敛性;且当开关频率为10~20 MHz,输入功率为75 W时,输出功率可达73 W,传输效率为95%,这也证明了GaN HEMT器件可以提高EF2类功率放大器的传输效率。 展开更多
关键词 GaN HEMT EF2类放大器 I-V特性 电子电路 Si MOSFET 传输效率
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5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制
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作者 闫锐 默江辉 +3 位作者 王川宝 付兴中 张力江 崔玉兴 《通讯世界》 2024年第6期28-30,共3页
为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封... 为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术,成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试,在工作电压为48V、工作频段为740MHz~960MHz的条件下,实现输出功率达到708W,带内功率附加效率最高达77.8%,功率增益大于16.5dB,抗失配能力达到5:1的性能指标。 展开更多
关键词 GaN HEMT 功率器件 场板
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硅基GaN单片功率集成电路的研制
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作者 吕树海 谭永亮 +2 位作者 默江辉 周国 付兴中 《通讯世界》 2024年第8期1-3,共3页
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片... 研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。 展开更多
关键词 硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件
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《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成
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作者 郭宇锋 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第6期I0007-I0008,共2页
近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件... 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。 展开更多
关键词 电路与系统 宽禁带半导体材料 功率半导体 射频器件 GA2O3 太赫兹 快速充电 GaN
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基于Transformer和GAN的多元时间序列异常检测方法
19
作者 曾凡锋 吕繁钰 《北方工业大学学报》 2024年第1期100-109,共10页
在时序数据分析中,异常检测是最为成熟的应用之一。它在量化交易、网络安全检测、自动驾驶和大型工业设备日常维护等现实领域广泛应用。随着业务组合的复杂性和时序数据量的增加,传统的人工和简单算法方法很难判断异常点。针对上述问题... 在时序数据分析中,异常检测是最为成熟的应用之一。它在量化交易、网络安全检测、自动驾驶和大型工业设备日常维护等现实领域广泛应用。随着业务组合的复杂性和时序数据量的增加,传统的人工和简单算法方法很难判断异常点。针对上述问题,对现有的检测方法进行了改进,提出了一种基于Transformer和生成式对抗网络(Generative Adversarial Networks,GAN)的时间序列异常检测模型,利用改进后的Transformer对时间序列的空间特征进行提取,并使用基于异常分数的异常检测算法和对抗训练以获得稳定性和准确性。模型采用自监督训练的方式,避免了需要手动标注异常数据的麻烦,同时减少了数据集对于监督模型训练的依赖。通过实验验证,本文提出的基于Transformer的时间序列异常检测模型在准确率上与先进的基于Transformer的模型相当,并且表现优于多元时间序列的大型数据集上的监督训练和传统异常检测方法。因此,该模型在实际应用中具有较好的潜力。 展开更多
关键词 深度学习 异常检测 TRANSFORMER 生成式对抗网络(GAN) 多元时间序列
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基于GAN的场景文本艺术风格转换
20
作者 刘冰 《计算机与数字工程》 2024年第5期1523-1528,共6页
图像风格转移是将风格样式迁移到源图像中的目标区域以创建艺术排版的任务,论文研究如何对场景文本图像中的文字区域进行风格转换,以实现自动对广告或海报中的文字进行风格转换,降低艺术创作的成本并提高艺术风格的多样性。由于场景文... 图像风格转移是将风格样式迁移到源图像中的目标区域以创建艺术排版的任务,论文研究如何对场景文本图像中的文字区域进行风格转换,以实现自动对广告或海报中的文字进行风格转换,降低艺术创作的成本并提高艺术风格的多样性。由于场景文本图像中不同因素之间存在复杂的相互作用,先前很少有在保留原始文字内容和背景的同时进行文本风格转换的工作。该文提出了一个三阶段的框架,这是首个直接在原图进行程度可控的风格转换的网络,将原本对单个二值化字符进行风格转换的方法扩展到场景文本图像上的文字,并涉及到了图像修复的相关知识。首先使用风格转换网络只对场景文本图像中的文本风格进行转换,后利用字符擦除网络擦除原始字符重建背景图像,最后融合部分利用生成的前景图像和擦除字符后的背景图像生成最终风格转换后的结果图像。论文通过大量实验证明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 深度学习 生成对抗网络(GAN) 场景文本图像 图像风格迁移 字体风格转换 字符擦除
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