GaAs衬底上Ga In_(1-x)P膜的电子探针X射线波谱分析

本文用波长色散型电子探针对GaAs衬底上Ga_xIn_(1-x)P混晶膜的元素组分进行了分析,为用SEM-WDS测定该类混晶膜材料作了一次试验。

生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用

采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。

自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的喇曼光谱研究

在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿［１１１］方向的（ＧＳＰ）１／（ＩｎＰ）１单层超晶格有一定联系。在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。

三元有序合金Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)的时间分辨谱

在室温和低温下 ,测试了有序Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨光致发光谱 .对实验结果的分析表明 ,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退 .室温下 ,快过程的时间常数在 12 8～ 2 5 0ps范围 ,低温 77K下则都有所变慢 ,大约在 186～ 5 64ps范围内 ;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异 ,室温下大约在 3 0 8～ 183 2ps之间变化 ,低温 77K下 ,则在纳秒量级 ,最长的甚至达到 2 8ns以上 .对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明 ,快过程对应于有序区域中载流子的复合 ,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合 .低温下的时间分辨谱表明 。