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生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用
被引量:
1
1
作者
常晓阳
尧舜
+5 位作者
杨翠柏
张杨
陈丙振
张小宾
张奇灵
王智勇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期694-697,共4页
采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试...
采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。
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关键词
GaxIn1-xP
无序度
生长温度
太阳能电池
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职称材料
题名
生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用
被引量:
1
1
作者
常晓阳
尧舜
杨翠柏
张杨
陈丙振
张小宾
张奇灵
王智勇
机构
北京工业大学激光工程研究院
瑞德兴阳新能源技术有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期694-697,共4页
基金
科技强企支撑计划资助项目(2013A3FC0192)
2013中山市战略性新兴产业资助项目(ZSEI-2013468008)
文摘
采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。
关键词
GaxIn1-xP
无序度
生长温度
太阳能电池
Keywords
gaxinl-xp
disordering
growth temperature
solar cells
分类号
O782.9 [理学—晶体学]
TB39 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用
常晓阳
尧舜
杨翠柏
张杨
陈丙振
张小宾
张奇灵
王智勇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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