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γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究
被引量:
1
1
作者
彭观良
庄漪
+6 位作者
邹军
王银珍
刘世良
周国清
周圣明
徐军
干福熹
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期399-402,共4页
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶...
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1 xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γLiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1。
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关键词
晶体生长
提拉法
γ-LiAlO2
LiAl1-x
gaxo2
掺质
下载PDF
职称材料
题名
γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究
被引量:
1
1
作者
彭观良
庄漪
邹军
王银珍
刘世良
周国清
周圣明
徐军
干福熹
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期399-402,共4页
文摘
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1 xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γLiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1。
关键词
晶体生长
提拉法
γ-LiAlO2
LiAl1-x
gaxo2
掺质
Keywords
crystal growth
Czochralski technique
γ-LiAlO_2
LiAl_(1-x)Ga_xO_2
dopant
分类号
O771 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究
彭观良
庄漪
邹军
王银珍
刘世良
周国清
周圣明
徐军
干福熹
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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