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高性能Ga掺杂n型三元Ga_xPb_(1-x)Te化合物的制备与热电传输性能
1
作者
尹玲玲
鄢永高
+2 位作者
唐新峰
刘海君
张清杰
《武汉理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期7-10,共4页
采用熔融-缓冷工艺制备了Ga掺杂n型三元GaxPb1-xTe(x=0.01—0.05)化合物。研究了Ga含量对化合物热电传输性能的影响规律。结果表明,随着Ga含量的增加,样品载流子浓度增加,载流子迁移率逐渐减小,载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学...
采用熔融-缓冷工艺制备了Ga掺杂n型三元GaxPb1-xTe(x=0.01—0.05)化合物。研究了Ga含量对化合物热电传输性能的影响规律。结果表明,随着Ga含量的增加,样品载流子浓度增加,载流子迁移率逐渐减小,载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学波和电离杂质共同散射;随着Ga含量的增加,化合物的电导率大幅度增加,Seebeck系数逐渐降低。在所有组成化合物中,当x=0.02时,化合物功率因子最大,在375 K和775 K时分别为2.88×10-3W/mK2和1.73×10-3W/mK2。
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关键词
gaxpb1-x
Te化合物
熔融-缓冷
电性能
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职称材料
题名
高性能Ga掺杂n型三元Ga_xPb_(1-x)Te化合物的制备与热电传输性能
1
作者
尹玲玲
鄢永高
唐新峰
刘海君
张清杰
机构
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
出处
《武汉理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期7-10,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划项目(2007CB607501)
国家自然科学基金国际重大合作项目(50310353)
教育部科技创新工程重大项目培育资金项目资助(705035)
文摘
采用熔融-缓冷工艺制备了Ga掺杂n型三元GaxPb1-xTe(x=0.01—0.05)化合物。研究了Ga含量对化合物热电传输性能的影响规律。结果表明,随着Ga含量的增加,样品载流子浓度增加,载流子迁移率逐渐减小,载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学波和电离杂质共同散射;随着Ga含量的增加,化合物的电导率大幅度增加,Seebeck系数逐渐降低。在所有组成化合物中,当x=0.02时,化合物功率因子最大,在375 K和775 K时分别为2.88×10-3W/mK2和1.73×10-3W/mK2。
关键词
gaxpb1-x
Te化合物
熔融-缓冷
电性能
Keywords
Ga-doping
gaxpb1-x
Te
electric properties
melting process
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高性能Ga掺杂n型三元Ga_xPb_(1-x)Te化合物的制备与热电传输性能
尹玲玲
鄢永高
唐新峰
刘海君
张清杰
《武汉理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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