钙钛矿型Gd_2CuO_4复合氧化物薄膜的制备

采用非晶态多核配合物作为前驱体的方法在单晶硅表面成功地制备了钙钛矿型的复合金属氧化物Gd_2CuO_4薄膜,XPS研究表明所制备出的薄膜由Gd_2CuO_4复合金属氧化物组成.XRD研究表明经600℃热处理形成的复合氧化物薄膜以钙钛矿型晶相结构存在,也进一步证实了所制备出的薄膜是Gd_2CuO_4复合金属氧化物,其晶粒大小在20nm左右.俄歇电子能谱的深度剖析表明形成的薄膜组成均匀,在界面上有一定程度的扩散作用.运用AES揭示了Gd_2CuO_4薄膜的厚度与前驱体溶液中前驱体的质量分数以及添加剂的影响规律.SEM研究表明前驱体配合物的质量分数越低,形成的薄膜越薄,其表面织构越均匀.当前驱体的质量分数超过一定值后,形成的薄膜具有很多微裂纹.添加剂聚乙二醇对形成的薄膜厚度没有明显的影响,但可以明显改善薄膜的织构,使复合氧化物在衬底上分散得更均匀,抑制微裂纹的产生.

Gd_2CuO_4薄膜与Si,SiO_2/Si基底界面相互作用研究

采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶体结构 ,而以 Si O2 /Si为基底时 ,经 70 0℃热处理 1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构 .Gd2 Cu O4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大 ,热处理时间对晶粒度则影响较小 .AES深度剖析表明 ,形成的薄膜组成均匀 ,在界面上有一定程度的扩散 .以 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4与基底Si相互扩散 ,以 Si O2 /Si为基底时则主要是薄膜中 Gd,Cu向 Si O2 层中的扩散 .AES线性分析表明 ,在薄膜与基底的界面上 ,各元素的俄歇电子动能发生位移 。