Gd_2SiO_5:Eu^(3+)的VUV-UV光谱特性

本文介绍了利用同步辐射光源对Gd2 SiO5:Eu3+的VUV -UV光谱特性进行的研究。重点讨论了在低温 (10K )及室温下Gd2 SiO5:Eu3+中存在的各种能量传递过程 ,包括基质向Eu3+,Gd3+向Eu3+的传递以及两种不同格位Eu3+离子之间的能量传递。另一方面从探索新型量子剪裁材料的角度对比了 186nm和 2 76nm激发下的发射谱 ,指出Gd2

Gd_2SiO_5:Eu^(3+)红色荧光粉的制备与发光性能的研究

采用高温固相法合成了Gd2SiO5:Eu3+红色荧光粉。研究了灼烧温度、保温时间、助熔剂等因素对样品发光性能的影响。采用荧光分光光度计对样品的发光性能进行了分析。结果表明:当Eu3+的掺杂浓度为0.05mol,在1300℃保温4h的条件下合成的荧光粉具有较好的发光性能。在276nm激发下,荧光粉的发射峰位于610nm附近。

Gd2SiO5∶Eu^3+晶体的光学浮区法制备及发光性能研究

用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5∶Eu^3+粉末,并使用光学浮区法制得晶体。对其进行微观组织结构及光谱性能测试,XRD分析表明,晶体生长方向为[001]方向;摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好;晶体无宏观和微观缺陷;EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分,且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂,分别对应7配位和9配位离子。UV-Vis低温吸收谱中存在Eu^3+-O^2-电荷转移吸收带和Gd^3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S7/2)吸收限,做(Ahν)1/2-hν曲线得到其禁带宽度为5.9 eV;样品在紫外激发下呈橘红色,并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激发下可产生发射峰为583 nm、596 nm、620 nm、629 nm的红光发射(对应Eu^3+的5D0→7F0,1,2,3),其中277 nm激发下强度最大;以583 nm、596 nm、620 nm、629 nm为监测波长,其激发谱在200~500 nm波段,并出现以277 nm为中心的宽谱(对应Eu-O电荷转移跃迁和Gd^3+8S7/2→6IJ)以及313 nm(Gd^3+8S7/2→6PJ)、396 nm(Eu^3+7F0→5L6)和466 nm(Eu^3+的7F0→5D3)激发锐峰。由此可知,光学浮区法可以得到质量良好的Gd2SiO5∶Eu^3+晶体。

Sr_3SiO_5:Eu^(2+)材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).

579.62nm波长处Y_2SiO_5∶Eu^(3+)晶体永久性光谱烧孔

分别利用氩离子激光,二倍频YAG∶Nd激光泵浦的诺明6G可调谐窄线宽(0.5 cm-1)染料激光和899-21可调谐染料激光作为光源,以单色仪-锁相放大器-光电倍增管-计算机数据采集系统记录光谱,对Y2SiO5∶Eu3+晶体进行了光谱和光谱烧孔研究。在常温和液氮温度下测量了晶体的激发光谱、荧光光谱等。在16 K温度下对晶体进行了光谱烧孔研究,得到了孔宽约80 MHz并能保存10 h的永久性光谱孔。

Ca_3SiO_5∶Eu^(2+)材料光谱特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Ca3SiO5∶Eu2+发光材料。测量了材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一峰值位于505 nm处的不对称的宽带谱;监测505 nm发射峰,所得材料的激发光谱为一双峰宽谱,峰值为374和397 nm。研究了合成条件对Ca3SiO5∶Eu2+材料发射光谱的影响,结果显示,随合成温度或合成时间或Eu2+浓度的增大,Ca3SiO5∶Eu2+材料发射光谱峰值强度均表现出先增大后减小的趋势,当合成温度为1 100℃、合成时间为4 h、Eu2+浓度为0.5 mol%时,Ca3SiO5∶Eu2+材料发射光谱峰值强度最大。

Sr3SiO5∶Eu^2＋荧光粉的微波合成及性能研究

0引言 白光LED是一种具有广阔前景的节能照明灯具,被誉为人类的第四代照明用灯具。白光LED实现主要有两种方案,其中在蓝光LED芯片上涂覆黄色荧光粉,蓝光芯片发出的蓝光与荧光粉发出的黄光复合而获得白光,受到人们的重点关注。因此寻找性能优异的黄色发光粉,是实现白光LED的关键所在。

Ba^(2+)取代及助熔剂对Sr_3SiO_5:Eu^(2+)结构和发光性能的影响

采用还原气氛下的高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2+橙色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了Ba2+与Sr2+替换和助熔剂对Sr3SiO5:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:Ba2+取代Sr2+会使配位多面体膨胀,导致附近Eu2+占据的配位多面体压缩,晶体场强度增大。随着Ba2+取代量的增加,Eu2+逐渐占据Ba2+取代后的多面体中心,晶体场强度减弱,发射光谱峰值整体先由575 nm红移至592 nm后又蓝移回583 nm。Sr2+与Ba2+的量比n(Sr):n(Ba)=4时,发射光谱红移效果最佳。助熔剂H3BO3的掺入会使Sr3SiO5:Eu2+的发光强度急剧下降。而NH4F和NH4Cl掺入都能使Sr3SiO5:Eu2+的发射光谱强度增大,NH4F和NH4Cl单掺质量分数分别为2%和0.3%时增强效果最好,且NH4Cl的增强效果比NH4F要好很多。

Sr3SiO5降温过程分解及对制备Sr3SiO5∶Eu^2＋的影响

采用高温固相反应法制备Sr3SiO5∶Eu2+时,往往有Sr2SiO4∶Eu2+共存,从而影响Sr3SiO5∶Eu2+的发光性能。本文采用DSC/TG、淬冷法结合XRD,研究了Sr3SiO5∶Eu2+在降温过程中的分解反应。结果表明,Sr3SiO5是在1 250℃以上稳定存在的化合物,在降温过程中Sr3SiO5在1 250℃分解为Sr2SiO4和SrO。采用快速降温的方法可以抑制Sr3SiO5的分解。当降温速率小于10℃.min-1时,Sr3SiO5全部分解为Sr2SiO4和SrO;当降温速率为15℃.min-1时,样品主要物相为Sr3SiO5,但有少部分Sr3SiO5发生分解,当降温速率增大到20℃.min-1时,Sr3SiO5分解的量更少,即随着降温速率增大,Sr3SiO5分解的量减小,从而获得几近纯相的Sr3SiO5∶Eu2+荧光粉。

Eu^(3+)掺杂LaPO_4-5SiO_2复合材料的结构和发光性能研究

采用溶胶-凝胶法在常温下制备了稀土Eu3+掺杂的以LaPO4-5SiO2为复合基质的发光材料,并通过DTATG、XRD、TEM、IR、荧光光谱对材料的结构和发光性能进行了测试和分析。DTA-TG谱图分析显示,样品在84℃和245℃左右出现明显的失重现象,对应于凝胶中的吸附水、有机物的挥发和结晶水的分解。XRD图谱显示,复合基质中LaPO4主要为六方相结构,与纯LaPO4为单斜相结构不同,说明SiO2的加入改变了LaPO4的结构和配位构型。TEM显示材料形貌为长约50nm,直径10nm左右的棒状结构,电子衍射谱图显示材料为多晶结构。IR图谱显示,样品中主要存在Si-O-Si键和O-P-O键。荧光光谱图显示,在612nm监测波长下,最佳激发波长为395nm,Eu3+的最佳掺杂浓度为7.00%(at%),最佳退火温度为800℃。

微乳液法合成Y_2SiO_5∶Eu^(3+)及其发光性质研究

采用微乳液法合成了Y_2SiO_5∶Eu^(3+)系列荧光粉。利用XRD、扫描电镜(SEM)、光电子能谱(EDS)、荧光光谱、色坐标等研究了所制备荧光粉的结构、形貌和发光性能。光电子能谱数据验证了合成样品的离子掺杂量。荧光光谱测试表明,Y_2SiO_5∶Eu^(3+)监测光谱呈现200nm^300nm的宽带吸收峰和Eu3+的系列吸收峰。在253nm紫外光激发下,Y_2SiO_5∶Eu^(3+)材料的发射光谱为一个多峰谱,主峰分别为5D0→7F1(591nm)、5D0→7F2(616nm)的发光峰。当Eu3+掺杂物质的量大于24%时,出现了浓度猝灭现象。通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量为24%时,荧光粉的色坐标(0.503,0.366)与标准的红光色坐标接近,表明Y_2SiO_5∶Eu^(3+)是很好的近紫外光激发下的红色荧光粉。

新型(Yb^3＋,La^3＋)∶Gd2SiO5和(Yb^3＋,Tb^3＋)∶GdTaO4单晶生长及分凝研究

采用提拉法生长了尺寸为30 mm×50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为24 mm×57 mm的(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185(15),接近单位1,而La3+则为0.68(10),偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响;Yb3+和Tb3+在GdTaO4中的分凝系数为0.84(14)和0.84(5),接近单位1,对晶体的光学均匀性影响较小。

Y_3Al_5O_(12):Eu^(3+)荧光粉表面包覆SiO_2的研究

采用化学均相沉淀法在YAG:Eu3+荧光粉表面包覆了SiO2。利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行了测试和表征。结果表明:SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面,而不改变YAG:Eu3+荧光粉的晶体结构和发光中心;并通过改善荧光粉的表面状态,在一定程度上提高了荧光粉的发光强度。

近紫外光激发的颜色可调Sr_2SiO_4:Gd^(3+),Tb^(3+),Eu^(3+)荧光粉的制备及其发光性能研究

采用液相沉淀法制备了近紫外光激发的颜色可调Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Tb^(3+)、Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Eu^(3+)和Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.03Tb^(3+),0.03Eu^(3+)荧光粉,利用XRD、SEM、荧光光谱以及色坐标分析研究了所制备荧光粉的结构、形貌和发光性能。XRD分析表明,Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Tb^(3+)、Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Eu^(3+)和Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.03Tb^(3+),0.03Eu^(3+)荧光粉样品属单斜晶系。荧光光谱分析表明,Sr_2SiO_4:Gd^(3+),Tb^(3+),Eu^(3+)的激发光谱包括200~300nm的宽带吸收峰和Tb^(3+)、Eu^(3+)的系列吸收峰。在243nm、354nm紫外光激发下,Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Tb^(3+)的发射光谱由Tb^(3+)的~5D_4→~7F6(490nm,蓝绿光)、~5D_4→~7F_5(548nm,绿光)和~5D_4→~7F4(588nm,黄光)跃迁发射峰组成。在243nm、364nm紫外光激发下,Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.06Eu^(3+)的发射光谱由Eu^(3+)的~5D_0→~7F_1(591nm,橙光)、~5D_0→~7F2(614nm,红光)、~5D_0→~7F_3(652nm,红光)跃迁发射峰组成。在243nm、252nm、364nm紫外光激发下,Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.03Tb^(3+),0.03Eu^(3+)的发射光谱由Tb^(3+)的~5D_4→~7F_6(490nm,蓝绿光)、~5D_4→~7F_5 (548nm,绿光)、~5D_4→~7F_4(588nm,黄光)和Eu^(3+)的~5D_0→~7F_1(591nm,橙光)、~5D_0→~7F_2(614nm,红光)、~5D_0→~7F_3(652nm,红光)跃迁发射峰组成。色坐标分析表明,Sr_2SiO_4:0.06Gd^(3+),0.03Tb^(3+),0.03Eu^(3+)是很好的近紫外光激发的三色发光荧光粉。

Eu^(3+) Tb^(3+)共掺LaPO_4-5SiO_2的白光发光材料结构及发光性质研究

采用溶胶-凝胶法在常温下制备了稀土Eu3+和Tb3+共掺的以LaPO4-5SiO2为复合基质的发光材料,并通过DTA-TG、XRD、激发和发射光谱对材料的结构和发光性能进行了测试和分析。XRD图谱显示,材料主要以单斜相LaPO4结构为主。激发谱图显示,样品具有Eu3+和Tb3+的特征激发峰发射谱图显示,材料在红、绿、蓝波段均有发射,通过CIE色坐标计算,材料的色坐标正好落在白光区域。

Y_2SiO_5:Eu^(3+)纳米荧光粉的光谱特性研究

用凝胶燃烧法制备Y2SiO5:Eu3+纳米荧光粉.X射线衍射实验发现,在1 100℃以下烧结得到X1型物相,属单斜晶系,空间群为P21/c;在1 300℃以上烧结得到X2型物相,属单斜晶系,空间群为C2/c.研究了各样品的红外光谱,发现同物相的校正面积和校正高度随颗粒增大而增大,在物相转型时发生突变,X2型吸收峰位发生蓝移;研究了室温下样品在395 nm紫外光激发下得到的发射光谱,发现纳米荧光粉的5D0→7F0峰相比体材料发生蓝移,5D0→7F2峰相比于体材料中心位置变化不大,而谱带明显加宽.随着烧结温度降低,荧光粉颗粒减小,5D0→7F2的跃迁峰强度回落,但5D0→7F1与5D0→7F4的跃迁峰强度变化不大.Eu3+在Y2SiO5基质中占有两个不同的格位,不同的能级产生两套光谱致使峰数比退简并的峰数多.

静电纺丝制备Gd2O3∶Eu^3+/SiO2纳米纤维及其发光性能研究

采用静电纺丝技术制备了PVP/[(C2H5O)4Si+Gd(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米纤维,将其进行热处理,获得了Gd2O3∶Eu^3+/SiO2纳米纤维。采用XRD、FTIR、SEM、TEM、荧光光谱等技术对获得的样品进行了测试和表征,研究了烧结温度对发射光谱的影响。结果表明,800℃烧结即可获得直径均匀,结构致密的Gd2O3∶Eu3+/SiO2纳米纤维,所得纤维以无定形SiO2为基质,其中Gd2O3呈体心立方晶系。纤维平均直径约为174 nm,长度大于300μm。荧光光谱分析表明,在393 nm紫外光激发下,Gd2O3∶Eu^3+/SiO2纳米纤维在613 nm处发射出Eu^3+离子的强迫电偶极跃迁产生的红光特征发射谱带。红光发射强度随着烧结温度的升高先是逐渐增强,之后逐渐减弱,其中经过800℃处理得到的纳米纤维红光发射最强。

Si_3N_4掺杂氮化对Sr_3SiO_5:Eu^(2+)荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法制备Si_3N_4掺杂氮化Sr_(2.99)SiO_(5-6x)N_(4x):0.01Eu^(2+)荧光粉。采用XRD、EDS和SEM测试结果表明:N^(3-)进入Sr_3SiO_5基质晶格中取代部分O^(2-)离子,形成了单一相Sr_(2.99)SiO_(5-6x)N_(4x):0.01Eu^(2+)固溶体。PL&PLE荧光光谱测试结果显示,Sr_(2.99)SiO_(5-6x)N_(4x):0.01Eu^(2+)荧光粉在344nm紫外光的激发下发射出红橙光,属于Eu^(2+)离子典型的4f65d1?4f7电子跃迁。随着N浓度的增加,Sr2.99Si O5-6xN4x:0.01Eu^(2+)荧光粉发射光谱和激发光谱的强度明显增强。热稳定性测试结果表明,Si_3N_4掺杂氮化能够显著提高Sr3Si O5:Eu^(2+)荧光粉的热稳定性。通过Arrhennius模型拟合结果表明横向穿越过程(crossover)引起的Sr_3SiO_5:Eu^(2+)荧光粉氮化前后的温度猝灭。

Eu^(3+)掺杂Gd_2TiO_5荧光粉的制备及其发光性质研究

采用溶胶-凝胶法制备了Eu^(3+)掺杂Gd_2TiO_5红色荧光粉,并且用XRD、激发光谱和发射光谱对其结构组成及发光性能进行了表征分析。结果表明,在612nm波长光监测下,荧光粉的激发光谱为一宽带和一系列锐峰,其最佳激发峰出现在467nm处,因此在467nm蓝光激发下,基于Eu3+的5 D0→7F2电偶极跃迁,Gd2TiO5:Eu3+荧光粉发射出强烈的红光。

Influence of annealing temperature on luminescent properties of Eu^(3+)/V^(5+) co-doped nanocrystalline Gd_2Ti_2O_7 powders

Nanosized Gd2(1–x)Eu2xTi2O7:yV5+ phosphors were prepared via sol-gel method and characterized with X-ray diffraction,Raman spectroscopy,diffuse reflectance spectra and photoluminescence spectra.Their PL properties were investigated as functions of the Eu3+ doping concentration and annealing temperature.The results indicated that the as-prepared samples showed a strong emission of Eu3+ under the irradiation of 303 nm.For Eu3+-doped Gd2Ti2O7,the orange emission at 586 nm was the strongest,which was correspond...