共沉淀法制备Gd3(In,Al)5O12∶Ce石榴石粉体

将Gd_2O_3、In_2O_3、NH_4Al(SO_4)2·12H_2O和Ce_2(CO_3)3试剂溶入稀硝酸制取可溶盐混合溶液,采用NH_3·H_2O和NH_4HCO_3混合溶液沉淀剂,通过共沉淀法获得碱式硫酸碳酸复合盐水合物前驱体,经950℃以上温度烧结处理制备出立方晶系GIAG∶Ce石榴石粉体。应用红外光谱和差热分析研究了前驱体所含特征官能团和热化学行为,应用X射线粉末衍射分析了前驱体经不同温度烧结所出现的物相变化,应用表面电镜和粒度分析表征了GIAG∶Ce粉体的SEM形貌和粒度分布,GIAG∶Ce粉体的荧光光谱呈现365 nm和450 nm两个发光峰,表明Ce^(3+)离子已固溶进入粉体介质晶格。

共沉淀法制备Ce掺杂的Gd_3(Al,Ga)_5O_(12)粉体（英文）

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd_3(Al,Ga)_5O_(12)(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。