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稀土合金Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4(0.24 被引量:4
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作者 滕保华 唐定镶 +1 位作者 涂铭旌 陈云贵 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期40-43,共4页
基于对室温磁致冷材料稀土合金Gd5(SixGe1-x)4(0.24<x≤0.5)主要实验结果的分析与研究,提出了该系合金场诱导相变的一个理论描述。按照Landau Devonshire理论和次晶格假设,合理地解释了该系合金的磁行为,并且其数值结果与实验数据较... 基于对室温磁致冷材料稀土合金Gd5(SixGe1-x)4(0.24<x≤0.5)主要实验结果的分析与研究,提出了该系合金场诱导相变的一个理论描述。按照Landau Devonshire理论和次晶格假设,合理地解释了该系合金的磁行为,并且其数值结果与实验数据较为一致。 展开更多
关键词 金属材料 gd5(sixge1-x)4 Landau-Devonshire理论 场诱导相变 稀土
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杂质对Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4(x≈0.5)合金结构与磁熵变的影响 被引量:3
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作者 付浩 涂铭旌 +2 位作者 陈云贵 张铁邦 张良成 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1481-1484,共4页
采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合... 采用纯度分别为99.94%和99.2%的稀土金属Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28两组合金,研究杂质对Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵变的影响原因。粉末衍射结构分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低纯Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中还出现了明显的Gd5(Si,Ge)3相。磁性测量表明,杂质不改变合金中主相的居里温度,即没有改变合金中主相磁性原子的相互作用,但由于低温反铁磁性Gd5(Si,Ge)3相对室温Gd5Si2Ge2相的磁熵变没有贡献,导致Gd5(SixGe1-x)4合金在室温附近的磁熵变下降。 展开更多
关键词 磁致冷材料 磁熵变 gd5(sixge1-x)4合金
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Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4磁致冷材料的研究与发展 被引量:2
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作者 张久兴 曾宏 +1 位作者 岳明 牛培利 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期223-228,共6页
为了促进室温磁致冷技术的实用化,本文系统全面地介绍了室温磁致冷材料Gd5(SixGe1-x)4系金属间化合物近年来的发展概况,阐明了巨磁热效应与晶体结构、相变类型的关系,着重介绍了优化合金磁热性能的各种途径,最后针对合金实用化存在的问... 为了促进室温磁致冷技术的实用化,本文系统全面地介绍了室温磁致冷材料Gd5(SixGe1-x)4系金属间化合物近年来的发展概况,阐明了巨磁热效应与晶体结构、相变类型的关系,着重介绍了优化合金磁热性能的各种途径,最后针对合金实用化存在的问题提出了解决方法,并对其应用前景进行了展望. 展开更多
关键词 gd5(sixge1-x)4 合金 磁致冷 晶体结构 磁热效应
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钠离子陶瓷固态电解质Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)的制备与性能探究
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作者 徐瑶 刘立敏 +3 位作者 周晓亮 郭炜琳 李婕 郭心如 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第4期711-719,共9页
近年来,钠离子固态电池作为可充电电池的一员逐渐进入人们的视野。固态电池的优点在于避免使用液态电解质,从而可以规避电池泄漏和爆炸等风险。目前钠离子固态电解质的研究难点是如何提高室温下的离子电导率。为此,通过在固态电解质材料... 近年来,钠离子固态电池作为可充电电池的一员逐渐进入人们的视野。固态电池的优点在于避免使用液态电解质,从而可以规避电池泄漏和爆炸等风险。目前钠离子固态电解质的研究难点是如何提高室温下的离子电导率。为此,通过在固态电解质材料Na_(5)YSi_(4)O_(12)(NYS)中引入高价离子Zr^(4+)以提高其离子电导率。实验以NaNO_(3)、YN_(3)O_(9)·6H_(2)O、C_(8)H_(20)O_(4)Si和ZrO(NO_(3))(2)·x H_(2)O为起始物质,采用新型溶液辅助的固相反应法(SASSR)制备了具有六方晶系结构的固态电解质Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)(x=0.04、0.06、0.08、0.10、0.12),着重研究了Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)(NYZS)中Zr^(4+)的加入量和烧结温度与离子电导率之间的关系。研究发现,当x=0.08时,室温下离子电导率最高为2.13 mS·cm^(-1),活化能较低仅为0.222 eV。相比于未掺杂Zr^(4+)的Na_(5)YSi_(4)O_(12)(NYS)材料电导率得到较大的提升。其较高的电导率得益于高价Zr^(4+)掺杂后出现的钠空位,增强了Na^(+)传输浓度。此研究表明Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12)是一种具有竞争力的钠离子固态电解质,有望成为新一代储能的研究热点。 展开更多
关键词 钠离子电池 固态电解质 Na_(5-x)Y_(1-x)Zr_(x)Si_(4)O_(12) 离子电导率 离子掺杂
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基于晶场调节和能量传递的β-Na(Gd_(1-x)Y_x)_(0.95)F_4:5%Eu^(3+)增强发光研究
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作者 桂卫军 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期21-27,共7页
采用溶剂热法合成了固溶体纳米荧光粉β-Na(Gd_(1-x)Y_x)0.95F_4:5%Eu^(3+)。XRD衍射图样显示随着x由O逐渐增加到1,纳米荧光粉的晶相由纯六方β-NaGdF_4相变成纯六方β-NaYF_4相。在Gd^(3+)的~8S_(7/2)→~6I_J,激发峰激发下,当x=0.2时... 采用溶剂热法合成了固溶体纳米荧光粉β-Na(Gd_(1-x)Y_x)0.95F_4:5%Eu^(3+)。XRD衍射图样显示随着x由O逐渐增加到1,纳米荧光粉的晶相由纯六方β-NaGdF_4相变成纯六方β-NaYF_4相。在Gd^(3+)的~8S_(7/2)→~6I_J,激发峰激发下,当x=0.2时该固溶体具有最高的发射强度,且为纯六方相β-NaGdF_4的2.16倍。这种发光增强是因为共掺Y^(3+)离子会导致Eu^(3+)周围局域晶场畸变,但我们也发现x=0.4时依旧具有增强效果。纳米粒子表面包覆有机物均苯四甲酸(PMA)后,其激发带能够得到有效的加宽,相应地最强发射强度依旧为x=0.2时情形。文中最后详细讨论了能量传递的具体过程。 展开更多
关键词 β-Na(gd_(1-x)Y_x)_(0.95)F_4:5%Eu^(3+)纳米晶 发光增强 能量传递
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Gd_5Si_xSn_(4-x)合金的结构与磁热性能 被引量:3
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作者 张恩耀 陈云贵 +2 位作者 张铁邦 唐永柏 涂铭旌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期541-542,545,共3页
利用XRD和振动样品磁强计研究了Gd5SixSn4-x(x=2.4、2.6、2.8)合金的结构与磁热性能。结果表明,在x=2.8时合金具有Gd5Si4形正交结构,x=2.4和2.6时则为Gd5Si4和Gd5Si2Gi2型两种结构,此外均存在少量其它杂相。随着Si含量的增大,居里温度... 利用XRD和振动样品磁强计研究了Gd5SixSn4-x(x=2.4、2.6、2.8)合金的结构与磁热性能。结果表明,在x=2.8时合金具有Gd5Si4形正交结构,x=2.4和2.6时则为Gd5Si4和Gd5Si2Gi2型两种结构,此外均存在少量其它杂相。随着Si含量的增大,居里温度分别为276、290.5和301.5K,逐渐升高,1.8T外加磁场变化时的磁熵变分别为1.88、2.26和1.69J/(kg.K),x=2.6时最大。低温XRD分析表明合金发生磁相变的同时没有结构相变发生。 展开更多
关键词 gd5SixSn4-x 合金 晶体结构 居里温度 磁熵变
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共沉淀法合成的(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu荧光粉的光谱特性研究 被引量:1
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作者 赖华生 陈宝玖 +5 位作者 王林生 许武 王晓君 谢宜华 任新光 狄卫华 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期712-712,共1页
采用共沉淀反应软化学法合成了体色洁白的(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉。在147nm真空紫外线的激发下,(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉的发射主峰位于619nm,红色色纯度优于PDP用商品(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉,但其... 采用共沉淀反应软化学法合成了体色洁白的(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉。在147nm真空紫外线的激发下,(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉的发射主峰位于619nm,红色色纯度优于PDP用商品(Y,Gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+荧光粉,但其相对发光亮度只有商品粉的90%,是一种有前途的PDP用和荧光灯用的红色荧光粉。 展开更多
关键词 共沉淀法 ((Y gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+ PDP 真空紫外光 荧光粉
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Gd)4(Bi_xSb_(1-x))_3系列合金在低磁场下的磁热效应
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作者 王正德 陈明 +5 位作者 金培育 刘金荣 邱巨峰 黄焦宏 徐来自 李保卫 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期45-48,共4页
用高频悬浮炉熔炼了Gd4(BixSb1-x)3系列合金,利用X光粉末衍射技术确定其结构。在1.3T的磁场下,利用自制的△Tad-T曲线测量仪直接测量了该系列合金的磁热效应。发现Gd4(BixSb1-x)3系列合金在低磁场下具有较大的磁热效应,通过改变Bi的含量... 用高频悬浮炉熔炼了Gd4(BixSb1-x)3系列合金,利用X光粉末衍射技术确定其结构。在1.3T的磁场下,利用自制的△Tad-T曲线测量仪直接测量了该系列合金的磁热效应。发现Gd4(BixSb1-x)3系列合金在低磁场下具有较大的磁热效应,通过改变Bi的含量,其居里温度在267K~332K温度之间增加,从而在一个较宽的温度范围内能获得较大的绝热温变。在对退火前后的样品进行△Tad-T测量后,发现其热稳定性很好。实验结果说明Gd4(BixSb1-x)3系列合金是一种性能良好的磁致冷材料。 展开更多
关键词 磁热效应 磁致冷材料 gd4(BixSb1-x)3系列合金 居里温度
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Characterization of (Y,Gd)B_xV_(1-x)O_(4-x)∶Eu Phosphor Prepared by Coprecipitation Reaction 被引量:1
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作者 赖华生 陈宝玖 +5 位作者 王林生 许武 王晓君 谢宜华 任新光 狄卫华 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第6期668-671,共4页
White body-color (Y, Gd)BxV1-xO4-x :Eu^3+ phosphors were prepared by coprecipitation reaction. Under VUV excitation at 147 nm, the red emission colorimetric purity of (Y, Gd) BxV1-xO4-x: Eu^3+ phosphor is much... White body-color (Y, Gd)BxV1-xO4-x :Eu^3+ phosphors were prepared by coprecipitation reaction. Under VUV excitation at 147 nm, the red emission colorimetric purity of (Y, Gd) BxV1-xO4-x: Eu^3+ phosphor is much better than that of commercial PDP (plasma display panels) phosphor (Y, Gd)BO3:Eu^3+ . But its relative emission intensity is only about 90% of the commercial phosphor. 展开更多
关键词 coprecipitation (Y gd)BxV1-xO4-x:Eu^3+ PDP VUV PHOSPHOR rare earths
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Luminescence and Energy Transfer of Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce, Tb──Ⅱ. Energy Transfer of Ce→Gd→Tb
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作者 郭常新 柏善岩 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第1期12-18,共7页
The energy transfer phenomenon of Ce→Gd→Tb via Gd sublattice and its depandence has been investigated in GdxY-1-xP5O14:Ce,Tb.The fluorescent and excitation spectra of Gdp5O14,Gdp5O14:Ce,Gdp5O14:Tb and GdxY-1xP5O14:C... The energy transfer phenomenon of Ce→Gd→Tb via Gd sublattice and its depandence has been investigated in GdxY-1-xP5O14:Ce,Tb.The fluorescent and excitation spectra of Gdp5O14,Gdp5O14:Ce,Gdp5O14:Tb and GdxY-1xP5O14:Ce,Tb and absorption spectrum of Gdp5O14 have been studied.The results show that as x is larger than 0.7.the energy transfer from Ce3+ via Gd3+to Tb3+ is obvious.The main reason for the energy transfer of Ce→Gd→Tb being efficient in the region x>0.7 is that the spectral overlap between Ce3+ emission spectrum and Gd3+ absorption spectrum increases and the structure changes from monoclinic Ⅱ(C2/c) layer structure(x<0.7) to monoclinic I(P21/c) ribbon structure. 展开更多
关键词 Luminescence of Tb ̄(3+) and Ce ̄(3+) Energy transfer via gd ̄(3+) sublattice gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce TB
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Luminescence and Energy Transfer of Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce,Tb──I.Preparation,Structure and Spectral Properties
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作者 郭常新 柏善岩 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第4期257-261,共5页
Preparation, structure and spectral properties of rare earth pentaphosphates Gd_xY_(1-x)P_5O_(14): Ce, Tb have been investigated. When x>0. 7, the pentaphosphates belong to monoclinic crystal system Ⅰ with space g... Preparation, structure and spectral properties of rare earth pentaphosphates Gd_xY_(1-x)P_5O_(14): Ce, Tb have been investigated. When x>0. 7, the pentaphosphates belong to monoclinic crystal system Ⅰ with space group P2_1/c (C). When x≤0. 7. they belong to monoclinic crystal system Ⅱ with C2/c (C). The fluorescent and excitation spectra of Gdp_5O_(14), GdP_5O_(14): Ce. GdP_5O_(14) : Tb and Gd_xY_(1-x)P_5O_(14) : Ce, Tb have been studied and the energy transfer phenomenon from Ce(3+)→Gd(3+)→Tb(3+) by the medium of Gd(3+) sublattice has been determined. 展开更多
关键词 Luminescence of Tb ̄(3+) and Ce ̄(3+) Energy transfer via gd ̄(3+) sublattice gd_xY_(1-x)P_5O_(14): Ce. Tb
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放电等离子烧结Gd/Gd_5Si_2Ge_2复合材料磁热效应研究
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作者 曾宏 岳明 +1 位作者 陈海玲 张久兴 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期872-874,共3页
以高纯钆和Gd5Si2Ge2合金为原料,采用放电等离子烧结技术制备了两组元Gdx(Gd5Si2Ge2)1-x(x=0,0.33,0.5,0.7,1)层状复合磁制冷材料.通过自制的磁热效应测量仪器直接测量了复合材料在外加磁场1.5 T下的磁热效应(ΔTad).随着复合比例的变化... 以高纯钆和Gd5Si2Ge2合金为原料,采用放电等离子烧结技术制备了两组元Gdx(Gd5Si2Ge2)1-x(x=0,0.33,0.5,0.7,1)层状复合磁制冷材料.通过自制的磁热效应测量仪器直接测量了复合材料在外加磁场1.5 T下的磁热效应(ΔTad).随着复合比例的变化,材料的最大绝热温变(ΔTad)从x=0.3时的1.6 K增加到x=0.7时的2.0 K,而最大绝热温变峰的位置从286K变到了293 K.同时,与单组元的Gd5Si2Ge2合金相比,随着钆的含量增加时,复合材料的最大绝热温变峰变宽.当x=0.7时,层状复合磁制冷材料在外加磁场1.5 T下的最大绝热温变(ΔT)在260-310K范围里从1.1 K变到2.0 K,这种材料非常适合作为室温磁制冷材料. 展开更多
关键词 放电等离子烧结 gdx(gd5Si2Ge2)1-x 复合材料 磁热效应 绝热温变(ΔTad)
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Rare Earths and Magnetic Refrigeration 被引量:20
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作者 Karl A Gschneidner Vitalij K Pecharsky 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第6期641-647,共7页
Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrige... Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrigerants in most cooling devices, and for many cooling application the Nd2Fe14B permanent magnets are employed as the source of the magnetic field. The status of the near room temperature magnetic cooling was reviewed. 展开更多
关键词 magnetic refrigeration magnetocaloric effect GADOLINIUM gd5 Si1- x Gex 4 La Fe 13 - x Six Hy Nd2 Fe14 B permanent magnets active magnetic regenerator cycle rare earths
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CISMA 2003参展新品(一)
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《中外缝制设备》 2003年第6期24-29,共6页
上工在CISMA 2003共展出样机近100台,其中工业机76台,电脑绣花机5台,多功能家用机15台和缝纫机零件。为了展示上工科技创新的实力和对自主知识产权的重视,在上工展区中还特别列出上工机电一体化新产品展台,展示了上工一年来自主开... 上工在CISMA 2003共展出样机近100台,其中工业机76台,电脑绣花机5台,多功能家用机15台和缝纫机零件。为了展示上工科技创新的实力和对自主知识产权的重视,在上工展区中还特别列出上工机电一体化新产品展台,展示了上工一年来自主开发的电脑控制的新兴工业机12台。它们是GD19000—1~5D高速无油润滑自动平缝机3台、GD9—1—5D电脑双针平缝机、GDl900电脑套结机、457A500自动剪线高速曲折缝、SG2000C/M电子花样曲折缝、GC8800—4—5D自动高速平缝机两种、GN700电脑控制高速包缝机和JX2011、JH56060家用绣花机两种。 展开更多
关键词 ClSMA 2003 gd1900型电脑套结机 gd9系列双针针送料平缝机 GC8800系列新型高速平缝机 GC9000-1-5D高速无油润滑自动平缝机 GC8800-1系列新型高速平缝机 GC8800-4-5D自动高速平缝机 技术规格 产品结构
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A molecular framework underlying low-nitrogeninduced early leaf senescence in Arabidopsis thaliana 被引量:1
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作者 Hongmei Fan Shuxuan Quan +8 位作者 Qing Ye Lei Zhang Wei Liu Ning Zhu Xiaoqi Zhang Wenyuan Ruan Keke Yi Nigel M.Crawford Yong Wang 《Molecular Plant》 SCIE CSCD 2023年第4期756-774,共19页
Nitrogen(N)deficiency causes early leaf senescence,resulting in accelerated whole-plant maturation and severely reduced crop yield.However,the molecular mechanisms underlying N-deficiency-induced early leaf senescence... Nitrogen(N)deficiency causes early leaf senescence,resulting in accelerated whole-plant maturation and severely reduced crop yield.However,the molecular mechanisms underlying N-deficiency-induced early leaf senescence remain unclear,even in the model species Arabidopsis thaliana.In this study,we identified Growth,Development and Splicing 1(GDS1),a previously reported transcription factor,as a new regulator of nitrate(NO3)signaling by a yeast-one-hybrid screen using a NO3enhancer fragment from the promoter of NRT2.1.We showed that GDS1 promotes NO3 signaling,absorption and assimilation by affecting the expression of multiple NO3 regulatory genes,including Nitrate Regulatory Gene2(NRG2).Interestingly,we observedthat gds1mutants show early leaf senescence as well as reduced NO3-contentand Nuptake under N-deficient conditions.Further analyses indicated that GDS1 binds to the promoters of several senescence-related genes,including Phytochrome-lnteracting Transcription Factors 4 and 5(PIF4 and PIF5)and represses their expression.Interestingly,we found that N deficiency decreases GDS1 protein accumulation,and GDS1 could interact with Anaphase Promoting Complex Subunit 10(APC10).Genetic and biochemical experiments demonstrated that Anaphase Promoting Complex or Cyclosome(APC/C)promotes the ubiquitination and degradation of GDS1 under N deficiency,resulting in loss of PIF4 and PiF5 repression and consequent early leaf senescence.Furthermore,we discovered that overexpression of GDS1 could delay leaf senescence and improve seed yield and N-use efficiency(NUE)in Arabidopsis.In summary,our study uncovers a molecular framework illustrating a new mechanism underlying low-N-induced early leaf senescence and provides potential targets for genetic improvement of crop varieties with increased yield and NUE. 展开更多
关键词 nitrate signaling gdS1 nitrogen-deficiency-induced leaf senescence PIF4/PIF5 APC/C ubiquitina-tion NUE
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