Na_3GdSi_2O_7:Tb^(3+)荧光粉发光特性及Gd^(3+)→Tb^(3+)之间的能量传递

采用高温固相法合成了Na3Gd1-xTbxSi2O7(x=0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)系列荧光粉。研究了荧光粉的真空紫外-可见发光光谱和荧光寿命,讨论了Tb3+在扭曲八面体结构(标示为Gd(1)3+)和正三棱柱构型(标示为Gd(2)3+)两种格位中的最低5d轨道能级。同时研究了Gd3+→Tb3+之间无辐射能量传递速率K和无辐射能量传递效率η。研究结果表明:Tb3+在Gd(1)3+格位中的最低允许跃迁和禁戒跃迁的5d轨道能级分别位于235 nm和280 nm,在Gd(2)3+格位中的最低允许跃迁和禁戒跃迁的5d轨道能级分别位于224nm和256 nm。随着Tb3+浓度的增加,能量传递效率及速率显著增大,说明在Na3Gd1-xTbxSi2O7中存在有效的Gd3+-Tb3+能量传递。

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜

采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2