锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究

采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%。各样品在氮气氛中分别经过300,600及900℃退火30min。对锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究,用红外吸收谱分析了锗/多孔硅的薄膜结构。实验结果显示,锗/多孔硅薄膜的发光峰位于517nm附近,沉积时间对发光峰的强度有显著影响,锗层越厚峰强越弱。锗/氧化硅薄膜的发光峰位于580nm附近,锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大,锗/氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱。不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响。可以认为锗/多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的,而锗/氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心。

基于PS方法的地基SAR在大坝变形监测中的应用

大坝变形监测是大坝安全监测的一项重要内容。该文详细阐述了运用基于地基SAR的IBIS-L系统测量微小形变的基本理论,简明论述了PS-In SAR技术及其优势。以湖北隔河岩大坝采集的60幅地基SAR影像作为实验研究对象,提出一种基于热信噪比、估计信噪比、相干系数、相位稳定性四个参数的PS点选取方法。运用PS法在坝体上选取了18个特征点,通过对特征点视线向位移随时间变化情况进行分析,得出坝体结构稳定的结论,通过实例验证了IBIS-L系统在大坝位移监测领域的广阔前景。