磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

用Raman光散射的方法 ,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况 ,对不同的样品进行结构变化分析。实验结果显示 :Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制 。