GE损失下单边截断型分布族参数的EB估计

在非对称损失函数-GE损失函数下,利用非参数核密度估计方法,构造了单边截断型分布族未知参数的经验Bayes(EB)估计,并在适当条件下,证明了它的收敛速度,最后,给出了一个例子说明适合定理条件的先验分布是存在的。

非对称损失函数下Burr Ⅻ型分布可靠性指标的Bayes估计

本文研究了R=P(Y<X)在两种非对称损失函数下的Bayes估计问题,其中随机变量X和Y相互独立且服从不同的Burr Ⅻ型分布.利用Lindley近似方法,获得了Bayes估计的显式近似表达式,通过随机模拟比较了不同损失函数下的Bayes估计的性质.

磁控溅射法制备的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的光电性能研究

用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的物相结构、元素比例、表面形貌、光学带隙以及电学性能进行了表征与分析。结果表明随着Ge含量的升高,晶粒尺寸不断长大,光学带隙从1.52上升至2.12 e V。同时,Ge替换Sn可减少薄膜内的缺陷,所制备的CZGe S薄膜的载流子浓度与迁移率分别为1.99×1018cm-3与9.712 cm2/Vs。