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Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
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作者 郑文莉 贾全杰 +1 位作者 姜晓明 蒋最敏 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2001年第12期1231-1237,共7页
用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品... 用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品表面一侧的衰减长度为 8埃 ,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为 3埃 ,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ge原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等 ) 展开更多
关键词 异质结构 同步辐射 X射线反射 表面偏析 分子束外延 ge薄膜生长 St 硅晶体 锗原子 半导体材料
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