黑曲霉菌对Ge镀增透膜层的腐蚀行为研究

为开发新型保护膜系和光学系统的防霉设计提供数据支撑,了解Ge镀增透膜层在黑曲霉环境下的腐蚀行为,有助于提高红外窗口材料的环境适应性。通过霉菌加速试验,采用荧光显微镜、扫描电镜、X射线光电子能谱等,研究黑曲霉菌对Ge镀增透膜层样品的腐蚀行为及影响规律。黑曲霉菌为产酸型微生物,在稳定期时,它的生物量最高,细胞代谢产物的积累达到高峰,在对数生长阶段,由其引起的生长环境p H值变化显著,增加了环境的酸度;黑曲霉菌初始以Ge镀增透膜层样品表层吸附的碳元素为营养粘附于样品表面,并在样品表面大量繁殖,消耗样品表层的碳含量,随着黑曲霉菌的大量繁殖,样品表面的pH值也随之降低,样品表面的金属元素被氧化,开始逐步溶解,Ge镀增透膜层样品表层的锗元素、锌元素相继被剥离,参与反应后,样品的表层形貌被破坏严重,形成了大量的腐蚀坑。黑曲霉菌对Ge镀增透膜层的腐蚀行为以点蚀方式为主,它的生长代谢作用促进Ge镀增透膜层的腐蚀。