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题名Ge-Ⅲ亚稳相光学性质的第一性原理研究
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作者
翟进辉
于栋利
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机构
燕山大学理学院
燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
燕山大学材料科学与工程学院
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出处
《燕山大学学报》
CAS
2012年第3期224-229,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51072174
51172197)
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文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ge-Ⅲ亚稳相的电子结构和光学性质。Ge-Ⅲ相晶体是一种直接带隙半导体(带隙为0.46 eV)。对光学函数的计算表明,Ge-Ⅲ相晶体是一种具有高介电常数和高折射率的晶体。其静介电常数ε1(0)和静态折射率n(0)分别为33.9和5.82,大于相应的Ge-Ⅰ相晶体的值(16和4.0)。光子能量在2.38-14.9 eV(等离子体能量Ep)范围内,ε1(ω)〈0,整个晶体显示金属性;在高频透明区(能量大于Ep),ε1(ω)〉0,显示介电性。从光吸收谱上看,Ge-Ⅲ相晶体的主要光吸收区位于整个可见光及部分紫外光谱区,在能量为4.51eV处达到最大值2.77×10^5cm^-1。Ge-Ⅲ相晶体的透过率在0-0.46eV范围可达0.5,表明它可作为一种红外光学材料。在高能区(大于14.9 eV),反射率随能量的增加而骤减,透过率随能量的增加急剧增大,整个晶体表现出紫外透过的特征。能量损失谱上只有一个特征峰位于14.9 eV,对应于Ge-Ⅲ相晶体的等离子体能量。
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关键词
第一性原理计算
ge-ⅲ相
光学性质
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Keywords
first principles calculation
ge-III phase
optical properties
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
O472.4
[理学—半导体物理]
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