晶态Ge_1Sb_4Te_7的可逆阻变新机理的第一性原理研究

为了改良相变存储器的工作机理,采用第一性原理计算方法进行了理论研究。结果显示,相变存储材料三元硫系化合物Ge1Sb4Te7可通过特定原子的移动实现晶体对称性的部分打破与重建,伴随着这种结构转变,其电阻率会发生显著变化。该可逆相变引起的电阻转变效应可以归因于"类三中心四电子键"的形成与断裂。这种新相变机制相对于传统的相变存储机制,具有较多优点,有利于提高相变存储器的性能。