Si_3P_4和Ge_3P_4电子结构及光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。