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题名基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究
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作者
范真
丁建宁
朱守星
解国新
凌智勇
杨平
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机构
镇江江苏大学微纳米技术研究中心
东华大学机械工程学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期132-134,共3页
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基金
江苏省教育厅科技项目(03KJD460066)
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文摘
针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨。试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除。
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关键词
AFM
信息存储
gesbte膜
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Keywords
AFM, storage, gesbte film
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名硫系薄膜的力学及摩擦性能研究
被引量:1
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作者
聂德品
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机构
上海华龙测试仪器有限公司
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出处
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2008年第3期38-40,共3页
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文摘
利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb_2Te_4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb_2Te_4来说,施加1000μN左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、38.70GPa;湿度对Ge_2Sb_2Te_5膜和针尖粘附的影响没有GeSb_2Te_4明显,而且粘附力的存在会改变摩擦系数。
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关键词
gesbte膜
抗压性能
摩擦性能
相变存储
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Keywords
gesbte film, anti-compression property, friction property, phase change storage
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分类号
TG174.44
[金属学及工艺—金属表面处理]
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