基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究

针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机理进行了初步探讨。试验观察的结果表明,利用AFM导电探针对相变化材料GeSb2Te4膜施加一定的直流电压,可以通过形貌和相结构的变化来获得存储的信息点,并且通过施加一定时间的反向电压可以实现信息点的消除。

硫系薄膜的力学及摩擦性能研究

利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb_2Te_4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb_2Te_4来说,施加1000μN左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、38.70GPa;湿度对Ge_2Sb_2Te_5膜和针尖粘附的影响没有GeSb_2Te_4明显,而且粘附力的存在会改变摩擦系数。