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二维GeSe_2面内各向异性及短波偏振光探测研究 被引量:1
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作者 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第4期345-346,共2页
作为一种新型的二维半导体材料,黑磷因其独特的面内各向异性引起了研究人员的广泛关注1。近期,几种其它面内各向异性二维材料(如ReS2、ReSe2、SnS、GeSe 等)也被相继报道2-5。
关键词 各向异性 二维材料 gese2 面内 光探测 偏振 短波 半导体材料
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新型红外非线性光学晶体BaGa2GeSe6的生长与器件制备 被引量:2
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作者 方攀 袁泽锐 +3 位作者 陈莹 尹文龙 姚吉勇 康彬 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第2期193-194,204,共3页
钡镓锗硒(BaGa2GeSe6,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长... 钡镓锗硒(BaGa2GeSe6,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长出大尺寸高质量BGGSe单晶,尺寸为Φ30 mm×90 mm,为国内首次;通过定向、切割和抛光等处理工艺,成功制备出BGGSe晶体器件,为该晶体下一步的应用研究打下了坚实基础。 展开更多
关键词 红外非线性光学晶体 BaGa2GeSe6单晶 坩埚下降法 晶体生长
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K_2GeSe_3的中温固相合成
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作者 靳星瑞 张丽丹 +1 位作者 舒桂明 郭洪猷 《新技术新工艺》 北大核心 2002年第7期49-50,共2页
采用反应性熔盐法 ,K2 Se4、Ge和 Se粉以 2 :1 :3的摩尔比在 5 0 0℃下反应 7d,生成黄色片状晶体 K2 Ge Se3 。对产物晶体的热稳定性进行研究 ,并对其晶体结构和合成方法进行了探讨。
关键词 三元金属硒化物 中温固相合成 反应性熔盐法 热稳定性 K2GeSe3
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Complex alloying effect on thermoelectric transport properties of Cu2Ge(Se(1-x)Tex)3
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作者 Ruifeng Wang Lu Da +4 位作者 Yanci Yan Kunling Peng Xu Lu Xiaoyuan Zhou and Guoyu Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期376-381,共6页
To enhance the thermoelectric performance of Cu2GeSe3, a series of Te-alloyed samples Cu2Ge(Se(1-x)Tex)3 are synthesized and investigated in this work. It is found that the lattice thermal conductivity is reduced ... To enhance the thermoelectric performance of Cu2GeSe3, a series of Te-alloyed samples Cu2Ge(Se(1-x)Tex)3 are synthesized and investigated in this work. It is found that the lattice thermal conductivity is reduced drastically for x = 0.1 sample, which may be attributed to the point defects introduced by alloying. However, for samples with x ≥ 0.2, the lattice thermal conductivity increases with increasing x, which is related to a less distorted structure. The structure evolution,together with the change in carrier concentration, also leads to a systemically change in electrical properties. Finally, a z T of 0.55@750 K is obtained for the sample with x = 0.3, about 62% higher than that for the pristine sample. 展开更多
关键词 THERMOELECTRIC Cu2GeSe3 ALLOYING distorted structure
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GeSe_2非晶半导体薄膜中光致结构及性能变化 被引量:6
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作者 刘启明 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期636-640,共5页
运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析 ,研究了GeSe2 非晶半导体薄膜经5 14.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化。实验结果表明 ,经热处理和激光辐照后 ,薄膜的光学吸收边均移向短波长处 ,这种移动随... 运用X射线衍射分析、红外光谱分析、扫描电镜分析和透射光谱分析 ,研究了GeSe2 非晶半导体薄膜经5 14.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化。实验结果表明 ,经热处理和激光辐照后 ,薄膜的光学吸收边均移向短波长处 ,这种移动随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增大 ,并且在退火薄膜中是可逆的。扫描电镜分析结果表明 ,薄膜在激光辐照后有微晶析出 ,这种微晶的析出量随着辐照激光强度的增强而增加。 展开更多
关键词 gese2 非晶半导体薄膜 氩离子激光辐照 光致结构 性能变化 硒化锗 非晶半导体材料
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非晶硫系玻璃半导体Ge(S,Se)_2薄膜的光致效应
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作者 刘启明 干福熹 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期569-571,共3页
报道了GeS_2和GeSe_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.... 报道了GeS_2和GeSe_2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置.通过透射电子显微镜测试,在光照后的GeS_2和GeSe_2薄膜中观察到光致结晶现象.利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料. 展开更多
关键词 光致效应 GES2 gese2 非晶硫系半导体薄膜 光致漂白 光致结晶 光存储材料 绿移
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