等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗

本文阐述了用等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗的方法。试验了三种样品制备方法,结果表明,样品溶解于硝酸加氢氟酸中,除去硅后直接测定铝的方法最好,其检出限是0.0237μg／mL,合成样品的回收率为99.9％—100.2％,相对标准偏差小于3.6％。

太阳能电池用锗单晶片加工废料综合回收利用研究

用过滤法对废料液中的C10号切割润滑油进行分离,再对分离出的油液进行分馏提纯,C10号润滑油回收率可达到72.6%。过滤分离油后的锗和碳化硅粉的残渣经灼烧后,在NaOH溶液中用过氧化氢进行氧化溶解锗,使其进入溶液,然后过滤分离出溶液中不溶解的碳化硅粉,进行加热洗涤净化后得到纯净的碳化硅粉,碳化硅粉的回收率可达到95.6%。对富含锗的溶解滤液进行蒸发浓缩水分后,用盐酸蒸馏得到GeCl4,锗回收率可达到98%以上。