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应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型 |
张雪锋
徐静平
邹晓
张兰君
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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2
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用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文) |
薛春来
成步文
姚飞
王启明
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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3
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Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究 |
郭林
李开成
张静
刘道广
易强
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
2
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4
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Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 |
杨洲
王茺
王洪涛
胡伟达
杨宇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
2
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5
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利用Keating模型计算Si(1-x))Gex及非晶硅的拉曼频移 |
段宝兴
杨银堂
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
3
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6
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GEX株式会社 日本水族宠物界的引路人 |
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《水族世界》
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2010 |
0 |
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