巨磁电阻效应

2007年诺贝尔物理学奖被授予了法国物理学家阿尔贝.费尔(Albert.Fert)和德国物理学家彼得.格伦贝格尔(Peter.Griinberg),以表彰他们发现了巨磁电阻(Giant Magnetoresistance,GMR)效应.这个效应的应用导致了计算机硬盘记录密度的极大提高.此外,GMR效应的发现也是全新的自旋电子学的开端.我们可以期待电子自旋的量子效应带给我们更多的发现和创新技术.

巨磁电阻引发硬盘的高速发展——2007年诺贝尔物理学奖简介

2007年诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻(Giant Magnetoresistance)效应的发现者。他们是法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格(Peter Grünberg)。这是在铁磁和非磁薄膜交替组成的人工薄膜材料中观察到的。多年以来。人们曾经致力于探索这类系统中基础的间接交换作用。GMR效应的应用革新了硬盘中读取数据的技术,使硬盘在过去十年高速发展。1988年发现的GMR效应导致新的自旋电子学的创立。在主流的电子学中,电子自旋的作用被忽略了。可是进展表明在数据存储和处理领域,电子自旋的作用前程远大。

自旋极化的电流——2007年度诺贝尔物理学奖评述

2007年诺贝尔物理学奖授予法国物理学家阿尔贝.费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得.格伦贝格(Peter Grünberg),以表彰他们发现了巨磁电阻(giant magnetoresistance,GMR)效应.这是在铁磁和非磁薄膜交替组成的人工超晶格中观察到的.GMR现象起源于载流子自旋与材料磁性的相互作用.该效应的应用革新了硬盘中读取数据的技术,使硬盘技术在过去十年得到飞速发展;另一方面,GMR效应的发现是新的自旋电子学的开端.通过电子自旋的量子效应,人们可以期待更多的发现和创新技术.

超高密度计算机硬盘系统磁记录材料的噪音和差错分析

为研究计算机硬盘的信号和噪音 ,建立了硬盘系统读写过程的微磁模拟模型。在写入过程中采用了模拟的三维薄膜磁头 ,在读出过程中用的是巨磁阻 (GMR)磁头。根据模拟的结果 ,分别计算出了 0 ,1信号读出电压的概率密度分布函数 ,得到了硬盘磁记录密度在 15 .5 Mb/mm2 ,31.0Mb/mm2 ,40 .3Mb/m m2 ,46 .5 Mb/mm2 几种不同情况下的数据差错率。结果表明在颗粒大小 a L=13.5 nm时 ,非 0的差错率在密度为 40 .3Mb/mm2时开始出现。本系统中 ,磁道宽 W约为比特长度 B的 5倍 ,当比特长度与颗粒大小之比 B/a L>4时 ,平均差错率很小 ;但当 B/a L<4时 。