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质子滴线核^(12)N在^(28)Si靶上的核反应总截面测量
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作者 宁振江 李加兴 +8 位作者 郭忠言 詹文龙 王建松 肖国青 王全进 王金川 王猛 王建峰 陈志强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期644-648,共5页
描述了 5 0 .4MeV/u的12 N和 42 .3MeV/u的13 N次级放射性束在2 8Si靶上引起的核反应总截面σr 实验研究 ,结果发现12 N的反应总截面σr 比其相邻同位素核13 N有着异常的增大 .这可能是核形变及核子对效应造成的 ,试验中的测量误差也不... 描述了 5 0 .4MeV/u的12 N和 42 .3MeV/u的13 N次级放射性束在2 8Si靶上引起的核反应总截面σr 实验研究 ,结果发现12 N的反应总截面σr 比其相邻同位素核13 N有着异常的增大 .这可能是核形变及核子对效应造成的 ,试验中的测量误差也不可忽视 .利用微观Glauber模型计算了12 N在2 8Si靶上的核反应总截面 ,并与实验结果做了比较 。 展开更多
关键词 质子晕 反应截面 质子滴线核 硅靶 glanber模型
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