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深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估
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作者 颜志英 张敏霞 《浙江工业大学学报》 CAS 2003年第4期410-413,418,共5页
通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系 ,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律。模拟了在最坏应力条件下 ,最大线性区跨导 Gm max 退化与漏偏压应力 Vd的关系 ,以及器件寿命与... 通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系 ,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律。模拟了在最坏应力条件下 ,最大线性区跨导 Gm max 退化与漏偏压应力 Vd的关系 ,以及器件寿命与应力 Vd 展开更多
关键词 跨导 阈值电压 深亚微米 热载流子效应 寿命评估 gmmax退化 漏偏压应力 微电子器件
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