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Enhancing the Goos-Hänchen shift based on quasi-bound states in the continuum through material asymmetric dielectric compound gratings
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作者 江孝伟 方彬 占春连 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期393-400,共8页
Quasi-bound state in the continuum(QBIC)resonance is gradually attracting attention and being applied in Goos-Hänchen(GH)shift enhancement due to its high quality(Q)factor and superior optical confinement.Current... Quasi-bound state in the continuum(QBIC)resonance is gradually attracting attention and being applied in Goos-Hänchen(GH)shift enhancement due to its high quality(Q)factor and superior optical confinement.Currently,symmetry-protected QBIC resonance is often achieved by breaking the geometric symmetry,but few cases are achieved by breaking the material symmetry.This paper proposes a dielectric compound grating to achieve a high Q factor and high-reflection symmetry-protectede QBIC resonance based on material asymmetry.Theoretical calculations show that the symmetry-protected QBIC resonance achieved by material asymmetry can significantly increase the GH shift up to-980 times the resonance wavelength,and the maximum GH shift is located at the reflection peak with unity reflectance.This paper provides a theoretical basis for designing and fabricating high-performance GH shift tunable metasurfaces/dielectric gratings in the future. 展开更多
关键词 bound state in the continuum goos-hänchen shift dielectric compound grating material asymmetry
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拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen位移调控
2
作者 王筠 《湖北第二师范学院学报》 2023年第8期8-17,共10页
运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的... 运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的规律。可以通过调节入射线极化波的入射角、改变函数光子晶体周期数或在表面涂覆不同的拓扑绝缘体来控制分界面上的Goos-Hänchen位移。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 函数型光子晶体 goos-hänchen效应 横向位移 色散
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矩形hBN层状光栅中的Goos-Hänchen位移
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作者 招月 金高 周胜 《高师理科学刊》 2023年第11期32-38,共7页
六方氮化硼(hBN)是一种天然的范德瓦尔斯双曲材料,在两个红外波长范围内表现出双曲色散关系,可用于加强光与物质的相互作用.在目前的工作中,设计了矩形层状光栅hBN(RLG)结构,通过数值模拟发现能够增大Goos-Hänchen(GH)位移的同时... 六方氮化硼(hBN)是一种天然的范德瓦尔斯双曲材料,在两个红外波长范围内表现出双曲色散关系,可用于加强光与物质的相互作用.在目前的工作中,设计了矩形层状光栅hBN(RLG)结构,通过数值模拟发现能够增大Goos-Hänchen(GH)位移的同时具有较高的反射率.利用电场分布直接揭示了GH位移增强归因于RLG结构中的高局域的电场.值得注意的是,GH峰值的频率和宽度也可以由入射光偏振,hBN层各向异性轴方向的高度和厚度等参数来调控.基于GH位移的RLG结构传感特性,灵敏度高达1.401μm/RIU.这些结果可以为高灵敏光学传感器、光学开关和光电子探测器的设计提供有益参考. 展开更多
关键词 goos-hänchen位移 hBN光栅 光学传感器
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全反射SH地震波的Goos-Hinchen效应动校正时差 被引量:5
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作者 刘福平 王安玲 +2 位作者 李瑞忠 陈辉国 杨长春 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期2128-2134,共7页
利用SH地震波(偏振化方向垂直入射面的横波)在地层界面反射系数的附加相角导出了SH波GoosHnchen效应所引起的横向偏移和横向偏移渡越时间,给出了Goos-Hnchen效应正常时差公式,讨论了Goos-Hnchen效应对反射SH波正常时差的影响,绘... 利用SH地震波(偏振化方向垂直入射面的横波)在地层界面反射系数的附加相角导出了SH波GoosHnchen效应所引起的横向偏移和横向偏移渡越时间,给出了Goos-Hnchen效应正常时差公式,讨论了Goos-Hnchen效应对反射SH波正常时差的影响,绘出了横向偏移、横向偏移渡越时间、Goos-Hnchen效应正常时差及Goos-Hnchen效应正常时差校正量曲线.数值算例表明:对掠入射波或入射角在临界角附近的入射波,SH反射波的横向偏移、横向偏移渡越时间非常大,Goos-Hnchen效应对正常时差会产生较大的测量误差,在其他角度的入射波,横向偏移(横向偏移渡越时间)与波长(周期)为同一个数量级.横向偏移效应对SH反射波的传播走时影响是不可忽略的,因此在实际的地震资料处理中应进行横向偏移效应误差校正. 展开更多
关键词 goos-hnchen效应 SH地震波 横向偏移 正常时差 横向偏移渡越时间
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非均匀介质透射波Goos-Hnchen位移的研究 被引量:2
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作者 毛红敏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第11期2952-2955,共4页
基于不变嵌入理论,推导出电磁波入射到非均匀介质平板,反射系数和透射系数的耦合波方程;利用稳态相位方法,分析了透射波Goos-Hnchen(GH)位移的性质。通过数值计算,研究了入射角和介质厚度对透射率及GH位移的影响。结果显示,介质厚度... 基于不变嵌入理论,推导出电磁波入射到非均匀介质平板,反射系数和透射系数的耦合波方程;利用稳态相位方法,分析了透射波Goos-Hnchen(GH)位移的性质。通过数值计算,研究了入射角和介质厚度对透射率及GH位移的影响。结果显示,介质厚度一定时,透射率在特定角度具有极大值,对应的透射波发生负的GH位移,并且位移绝对值最大;入射角不变时,透射率和GH位移随厚度呈周期性变化,厚度增加,透射率呈下降趋势,但GH位移呈增大趋势。GH位移受入射角和介质厚度的影响很大,因此,可以通过调节厚度和入射角,获得合适的透射率和GH位移。 展开更多
关键词 电磁波传播 goos-hnchen位移 非均匀介质 不变嵌入法
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消失态与Goos-Hnchen位移研究 被引量:9
6
作者 黄志洵 《中国传媒大学学报(自然科学版)》 2009年第3期1-14,共14页
假定媒质1中有一个光束以入射角θ1向两媒质组成的界面入射,而界面两侧的媒质折射率为n1、n2(n1>n2),入射角大于临界角即θ1>θ1c=sin-1n2/n1;那么几何光学预期将发生全反射。但在实际上,光束进入了媒质2并在与界面平行方向前行... 假定媒质1中有一个光束以入射角θ1向两媒质组成的界面入射,而界面两侧的媒质折射率为n1、n2(n1>n2),入射角大于临界角即θ1>θ1c=sin-1n2/n1;那么几何光学预期将发生全反射。但在实际上,光束进入了媒质2并在与界面平行方向前行一段距离,然后才返回媒质1。反射光束的令人惊奇的平移于1947年由Goos和Hnchen测出。在媒质2中,波由两个波数所描述——与界面平行方向k||=k0n1sinθ1,与界面垂直方向的虚波数k⊥=jk0(n12sin2θ1-n22)^(1/2);而在垂直方向波呈指数式下降,即消失态。本文对消失态与GH位移作原理性研究,特别关注双界面问题。正如人们后来所知,部分反射时在入射波束与反射波束之间也有位移。然而,关于GH位移的精确理论至今尚不存在,实验研究变得重要了。例如,关于GHS谐振,关于反向GH位移,关于负群延时等等,均有待作进一步研究。 展开更多
关键词 goos-hnchen位移 消失态
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单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen位移
7
作者 王政平 王成 张振辉 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期523-528,共6页
左手材料是近几年兴起的一种新型人工材料,现有的左手材料大多数是各向异性的.因此对各向异性左手材料的研究非常重要.对光轴与界面成任意角度的单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen(GH)位移进行了研究.分别对入射波全反射和部分... 左手材料是近几年兴起的一种新型人工材料,现有的左手材料大多数是各向异性的.因此对各向异性左手材料的研究非常重要.对光轴与界面成任意角度的单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen(GH)位移进行了研究.分别对入射波全反射和部分反射情形进行了研究,得到了GH位移的表达式.分析了入射角和光轴与界面的夹角对GH位移的影响,并对这两种情况下GH位移的符号进行了分析.研究发现,部分反射时反射波的GH位移与透射波的相等;薄层厚度逐渐增加时,透射波的GH位移振荡且呈整体增加,在透射共振点达到绝对极大值,它受入射角和光轴与界面的夹角的巨大影响. 展开更多
关键词 单轴各向异性 左手材料 goos-hānchen位移 全反射
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光在不同界面反射时的Goos-Hnchen位移
8
作者 杨绍甫 白建平 张耀举 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第1期22-24,共3页
分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-Hnchen位移.材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-Hnchen位移的影响被分析.
关键词 负折射率材料 goos-hnchen位移 吸收效应 极化波
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单负介质表面的Goos-Hnchen效应 被引量:1
9
作者 王筠 《贵州大学学报(自然科学版)》 2010年第6期33-35,共3页
从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-Hnchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角。对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-Hnchen位移、相移的符... 从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-Hnchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角。对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-Hnchen位移、相移的符号和大小随入射角大小以及单负介质的介电常数或磁导率的正负的改变而做周期性变化。 展开更多
关键词 goos-hnchen位移和相移 单负介质
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有限微波波束在对称双三棱镜结构中的Goos-Hnchen与Imbert-Fedorov位移研究
10
作者 曲敏 黄志洵 逯贵祯 《中国传媒大学学报(自然科学版)》 2010年第4期5-10,共6页
通过实验测量确立了对称双三棱镜结构内受阻全反射的能流模型,并且发现增大或减小两块棱镜的间距d,棱镜空气分界面上反射波束发生的Goos-Hnchen(GH)位移和Imbert-Fedorov(IF)位移也随之增大或减小。为了理论定量研究GH位移和IF位移,... 通过实验测量确立了对称双三棱镜结构内受阻全反射的能流模型,并且发现增大或减小两块棱镜的间距d,棱镜空气分界面上反射波束发生的Goos-Hnchen(GH)位移和Imbert-Fedorov(IF)位移也随之增大或减小。为了理论定量研究GH位移和IF位移,从经典电磁理论出发分析了有限Gauss平面波束通过对称双三棱镜后各分界面反射和透射场分布,从而基于能流模型计算出消失态Poynting矢量流中与位移有关的那部分能流。然后借助Renard能流法推出了新的GH位移和IF位移表达式。最后通过数值仿真得出位移随空气隙间距d的变化曲线,并将其与实验结论对比,结果表明所得的理论估算式是有效的。 展开更多
关键词 对称双三棱镜 goos-hnchen位移 Imbert-Fedorov位移 Renard能流法
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一维光子晶体中亚波长缺陷膜对Goos-Hnchen位移的调制特性 被引量:1
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作者 胡瑞红 施解龙 +1 位作者 侯鹏 肖剑峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1427-1431,共5页
利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现:一层几何厚度极小的亚波长薄... 利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现:一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的位置及其大小;并且当亚波长缺陷膜为左手材料时,Goos-Hnchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反. 展开更多
关键词 光子晶体 亚波长材料 goos-hnchen位移 复合缺陷
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基于液晶光阀和光束分析仪的Goos-Hnchen位移的简单测量
12
作者 韩小红 杨艳芳 +2 位作者 何英 徐凯 李春芳 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期459-462,共4页
Goos-Hnchen(GH)位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难。提出了一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法。研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时,光的偏振态也随之变化。利用LCL... Goos-Hnchen(GH)位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难。提出了一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法。研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时,光的偏振态也随之变化。利用LCLV对光偏振态的调制和LBP记录光斑的重心位置的变化,直接测量出TE和TM两种偏振态入射时棱镜单界面反射光束的GH位移差。这个探测方法简单,不需要复杂的外部处理电路,且实验结果与理论结果很吻合,此方法也可以进一步直接测量二维位移。 展开更多
关键词 光电子学 goos-hnchen位移 液晶光阀 光束分析仪
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浸没环境对自负折射率薄膜表面反射光的Goos-Hnchen位移的影响
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作者 海福生 杨绍甫 张耀举 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第1期18-22,共5页
计算了光从真空-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-金属,正折射率介质-负折射率薄膜-真空以及真空-负折射率薄膜-正折射率介质四种复合结构中的负折射率薄膜表面反射的等效反射系数和GH位移.着重比较分析了在正折射率介质-负折射率... 计算了光从真空-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-金属,正折射率介质-负折射率薄膜-真空以及真空-负折射率薄膜-正折射率介质四种复合结构中的负折射率薄膜表面反射的等效反射系数和GH位移.着重比较分析了在正折射率介质-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-正折射率介质两种结构中正折射率材料的吸收效应对不同入射极化波的GH位移的影响. 展开更多
关键词 负折射率薄膜 goos-hnchen位移 材料的吸收效应 极化波
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《光学》教学中全反射时间和Goos-H·nchen位移的推导方法探析
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作者 刘向民 《廊坊师范学院学报(自然科学版)》 2012年第3期96-97,101,共3页
利用傅立叶变换,推导出脉冲光束全反射时的Goos-H·nchen位移和相应的时间延迟(即反射时间),这个结果和静态位理论得到的结果完全一致。对于反射时间为负的情况,如果从能流的角度分析,并不违背相对论中的因果律。
关键词 全反射 goos-h·nchen位移 反射时间
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Controlling the Goos-H?nchen Shift via Incoherent Pumping Field and Electron Tunneling in the Triple Coupled InGaAs/GaAs Quantum Dots
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作者 R.Nasehi S.H.Asadpour +1 位作者 H.Rahimpour Soleimani M.Mahmoudi 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期55-59,共5页
We study the controlling of the Goos-Hanchen (GH) shifts in reflected and transmitted light beams in the triple coupled InGaAs/GaAs quantum dot (QD) nanostructures with electron tunneling and incoherent pumping fi... We study the controlling of the Goos-Hanchen (GH) shifts in reflected and transmitted light beams in the triple coupled InGaAs/GaAs quantum dot (QD) nanostructures with electron tunneling and incoherent pumping field. It is shown that the lateral shift can become either large negative or large positive, which can be controlled by the electron tunneling and the rate of incoherent pump field in different incident angles. It is also demonstrated that the properties of the OH shifts are strongly dependent on the probe absorption beam of the intracavity medium due to the switching from superluminal light propagation to subluminal behavior or vice versa. Our suggested system can be considered as a new theoretical method for developing a new nano-optoelectronic sensor. 展开更多
关键词 GaAs on it is of Controlling the goos-h?nchen Shift via Incoherent Pumping Field and Electron Tunneling in the Triple Coupled InGaAs/GaAs Quantum Dots for in
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Enhancement and control of the Goos-Hanchen shift by nonlinear surface plasmon resonance in graphene
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作者 Qi You Leyong Jiang +1 位作者 Xiaoyu Dai Yuanjiang Xiang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期119-123,共5页
The Goos-H?nchen(GH) shift of graphene in the terahertz frequency range is investigated, and an extremely high GH shift is obtained owing to the excitation of surface plasmon resonance in graphene in the modified O... The Goos-H?nchen(GH) shift of graphene in the terahertz frequency range is investigated, and an extremely high GH shift is obtained owing to the excitation of surface plasmon resonance in graphene in the modified Otto configuration.It is shown that the GH shift can be positive or negative, and can be enhanced by introducing a nonlinearity in the substrate.Large and bistable GH shifts are demonstrated to be due to the hysteretic behavior of the reflectance phase. The bistable GH shift can be manipulated by changing the thickness of the air gap and the Fermi level or relaxation time of graphene. 展开更多
关键词 goos-h?nchen shift surface plasmon resonance nonlinear optics
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近零折射率区超导/介质双层结构的Goos-Hänchen位移
17
作者 高金霞 武继江 《山东理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第3期70-74,80,共6页
含超导材料的分层纳米结构在诸多领域中有着重要应用。在近零折射率区,理论研究了由超导材料和电介质材料构成的双层结构的Goos-Hänchen(GH)位移。研究表明,超导材料和电介质材料的相对位置对GH位移有很大影响。当入射光掠入射时,G... 含超导材料的分层纳米结构在诸多领域中有着重要应用。在近零折射率区,理论研究了由超导材料和电介质材料构成的双层结构的Goos-Hänchen(GH)位移。研究表明,超导材料和电介质材料的相对位置对GH位移有很大影响。当入射光掠入射时,GH位移随着入射角的增大而急剧增大。当S波入射时,GH位移随入射角变化的规律较为简单;当P波入射时,GH位移和阈值波长有关。阈值波长定义为超导材料折射率的实部和虚部均为零时的波长,以阈值波长作为分界波长时,GH位移表现出不同的变化规律。研究结果可为基于超导材料的新型光子学器件研究开发提供参考。 展开更多
关键词 高温超导 零折射率 双层介质结构 goos-hänchen位移
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电磁波在双轴各向异性左手介质表面的Goos-Hänchen位移
18
作者 张慧玲 《山西师范大学学报(自然科学版)》 2021年第3期60-63,共4页
首先详细地推导了在常规介质和双轴各向异性左手介质界面发生的Goos-Hänchen位移表达式,并对此进行了讨论,结果发现负Goos-Hänchen位移的发生并不要求介电常数张量和磁导率张量的所有元素都为负.其次,简要讨论了波通过双轴各... 首先详细地推导了在常规介质和双轴各向异性左手介质界面发生的Goos-Hänchen位移表达式,并对此进行了讨论,结果发现负Goos-Hänchen位移的发生并不要求介电常数张量和磁导率张量的所有元素都为负.其次,简要讨论了波通过双轴各向异性左手介质传播时透射波的后向位移. 展开更多
关键词 左手介质 双轴各向异性 goos-hänchen位移 后向位移
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广角反射地震波的Goos-Hnchen效应横向偏移
19
作者 刘福平 孟宪军 +2 位作者 肖加奇 王安玲 杨长春 《中国科学:地球科学》 CSCD 北大核心 2012年第4期513-519,共7页
利用Zoeppritz方程建立了反射系数对地震波波矢向量偏导方程,导出了Zoeppritz方程矩阵元对波矢向量偏导数解析表示.通过求解波矢向量偏导方程获得了反射系数对地震波波矢向量的偏导数,给出了利用反射系数对波矢向量偏导数计算地震波Goo... 利用Zoeppritz方程建立了反射系数对地震波波矢向量偏导方程,导出了Zoeppritz方程矩阵元对波矢向量偏导数解析表示.通过求解波矢向量偏导方程获得了反射系数对地震波波矢向量的偏导数,给出了利用反射系数对波矢向量偏导数计算地震波Goos-Hnchen效应横向偏移的计算方法,实现了反射P波和VS转换波横向偏移的准确计算,绘制了地震波Goos-Hnchen效应横向偏移曲线,分析了曲线的变化特点和规律.算例表明:对掠入射波或入射角在临界角(包括第一、第二临界角)附近的入射波,反射P波的横向偏移较大,地震波将沿界面滑行较长的距离后才返回入射介质,在其他角的入射P波的横向偏移与波长为同一个数量级,不同的反射界面横向偏移存在大的差别,泥岩-砂岩反射界面P波存在负横向偏移;VS转换波与P波类似在第一、第二临界角附近,也存在大的Goos-Hnchen横向偏移,不同反射界面的S波横向偏移同样存在大的差异,且在入射角逐渐趋向于90时S波的横向偏移逐渐减小.Goos-Hnchen横向偏移对广角反射波产生了不可忽略的影响,因此在实际地震资料处理中需要进行横向偏移效应校正,本文的研究为广角反射波深度偏移归位及时差校正的Goos-Hnchen横向偏移效应校正研究提供了理论依据. 展开更多
关键词 goos-hnchen效应 横向偏移 P波 S波 广角反射 ZOEPPRITZ方程 第一、第二临界角
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四能级原子介质中Goos-Hnchen位移的相干控制 被引量:2
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作者 苏家妮 邓文武 李高翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期240-247,共8页
通过外加驱动光场的调控改变腔中四能级原子介质的色散-吸收关系,从而来调控反射光和透射光的Goos-Hanchen位移.研究表明介质可同时对探测光场进行放大和吸收,在介质对探测光的吸收和放大相互抵消(即介质呈现透明特性)的区域附近,对Goos... 通过外加驱动光场的调控改变腔中四能级原子介质的色散-吸收关系,从而来调控反射光和透射光的Goos-Hanchen位移.研究表明介质可同时对探测光场进行放大和吸收,在介质对探测光的吸收和放大相互抵消(即介质呈现透明特性)的区域附近,对Goos-Hanchen位移的控制比强吸收或强放大特性下要灵敏,可以实现位移的突变和增强. 展开更多
关键词 四能级原子 goos-hnchen位移 相干控制
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