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Enhancing the Goos-Hänchen shift based on quasi-bound states in the continuum through material asymmetric dielectric compound gratings
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作者 江孝伟 方彬 占春连 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期393-400,共8页
Quasi-bound state in the continuum(QBIC)resonance is gradually attracting attention and being applied in Goos-Hänchen(GH)shift enhancement due to its high quality(Q)factor and superior optical confinement.Current... Quasi-bound state in the continuum(QBIC)resonance is gradually attracting attention and being applied in Goos-Hänchen(GH)shift enhancement due to its high quality(Q)factor and superior optical confinement.Currently,symmetry-protected QBIC resonance is often achieved by breaking the geometric symmetry,but few cases are achieved by breaking the material symmetry.This paper proposes a dielectric compound grating to achieve a high Q factor and high-reflection symmetry-protectede QBIC resonance based on material asymmetry.Theoretical calculations show that the symmetry-protected QBIC resonance achieved by material asymmetry can significantly increase the GH shift up to-980 times the resonance wavelength,and the maximum GH shift is located at the reflection peak with unity reflectance.This paper provides a theoretical basis for designing and fabricating high-performance GH shift tunable metasurfaces/dielectric gratings in the future. 展开更多
关键词 bound state in the continuum goos-hänchen shift dielectric compound grating material asymmetry
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Giant and controllable Goos—Hänchen shift of a reflective beam off a hyperbolic metasurface of polar crystals
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作者 薛天 李宇博 +5 位作者 宋浩元 王相光 张强 付淑芳 周胜 王选章 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期428-435,共8页
We conduct a theoretical analysis of the massive and tunable Goos–Hänchen(GH) shift on a polar crystal covered with periodical black phosphorus(BP)-patches in the THz range. The surface plasmon phonon polaritons... We conduct a theoretical analysis of the massive and tunable Goos–Hänchen(GH) shift on a polar crystal covered with periodical black phosphorus(BP)-patches in the THz range. The surface plasmon phonon polaritons(SPPPs), which are coupled by the surface phonon polaritons(SPh Ps) and surface plasmon polaritons(SPPs), can greatly increase GH shifts.Based on the in-plane anisotropy of BP, two typical metasurface models are designed and investigated. An enormous GH shift of about-7565.58 λ_(0) is achieved by adjusting the physical parameters of the BP-patches. In the designed metasurface structure, the maximum sensitivity accompanying large GH shifts can reach about 6.43 × 10^(8) λ_(0)/RIU, which is extremely sensitive to the size, carrier density, and layer number of BP. Compared with a traditional surface plasmon resonance sensor, the sensitivity is increased by at least two orders of magnitude. We believe that investigating metasurface-based SPPPs sensors could lead to high-sensitivity biochemical detection applications. 展开更多
关键词 Goos–H?nchen shift black phosphorus surface plasmon phonon polaritons sensitivity metasurfaces
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拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen位移调控
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作者 王筠 《湖北第二师范学院学报》 2023年第8期8-17,共10页
运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的... 运用传输矩阵法和固定相位法研究拓扑绝缘体与SINC函数型光子晶体分界面上的Goos-Hänchen效应。结果表明,两种线极化波在分界面处的Goos-Hänchen位移随入射角、拓扑绝缘体的介电常数、函数光子晶体周期数不同而呈现不一样的规律。可以通过调节入射线极化波的入射角、改变函数光子晶体周期数或在表面涂覆不同的拓扑绝缘体来控制分界面上的Goos-Hänchen位移。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 函数型光子晶体 goos-hänchen效应 横向位移 色散
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矩形hBN层状光栅中的Goos-Hänchen位移
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作者 招月 金高 周胜 《高师理科学刊》 2023年第11期32-38,共7页
六方氮化硼(hBN)是一种天然的范德瓦尔斯双曲材料,在两个红外波长范围内表现出双曲色散关系,可用于加强光与物质的相互作用.在目前的工作中,设计了矩形层状光栅hBN(RLG)结构,通过数值模拟发现能够增大Goos-Hänchen(GH)位移的同时... 六方氮化硼(hBN)是一种天然的范德瓦尔斯双曲材料,在两个红外波长范围内表现出双曲色散关系,可用于加强光与物质的相互作用.在目前的工作中,设计了矩形层状光栅hBN(RLG)结构,通过数值模拟发现能够增大Goos-Hänchen(GH)位移的同时具有较高的反射率.利用电场分布直接揭示了GH位移增强归因于RLG结构中的高局域的电场.值得注意的是,GH峰值的频率和宽度也可以由入射光偏振,hBN层各向异性轴方向的高度和厚度等参数来调控.基于GH位移的RLG结构传感特性,灵敏度高达1.401μm/RIU.这些结果可以为高灵敏光学传感器、光学开关和光电子探测器的设计提供有益参考. 展开更多
关键词 goos-hänchen位移 hBN光栅 光学传感器
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Method of measuring one-dimensional photonic crystal period-structure-film thickness based on Bloch surface wave enhanced Goos–H?nchen shift
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作者 郎垚璞 刘庆纲 +2 位作者 王奇 周兴林 贾光一 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期545-552,共8页
This paper puts forward a novel method of measuring the thin period-structure-film thickness based on the Bloch surface wave(BSW) enhanced Goos–Hanchen(GH) shift in one-dimensional photonic crystal(1DPC). The BSW phe... This paper puts forward a novel method of measuring the thin period-structure-film thickness based on the Bloch surface wave(BSW) enhanced Goos–Hanchen(GH) shift in one-dimensional photonic crystal(1DPC). The BSW phenomenon appearing in 1DPC enhances the GH shift generated in the attenuated total internal reflection structure. The GH shift is closely related to the thickness of the film which is composed of layer-structure of 1DPC. The GH shifts under multiple different incident light conditions will be obtained by varying the wavelength and angle of the measured light, and the thickness distribution of the entire structure of 1DPC is calculated by the particle swarm optimization(PSO) algorithm.The relationship between the structure of a 1DPC film composed of TiO_(2) and SiO_(2) layers and the GH shift, is investigated.Under the specific photonic crystal structure and incident conditions, a giant GH shift, 5.1 × 10^(3) times the wavelength of incidence, can be obtained theoretically. Simulation and calculation results show that the thickness of termination layer and periodic structure bilayer of 1DPC film with 0.1-nm resolution can be obtained by measuring the GH shifts. The exact structure of a 1DPC film is innovatively measured by the BSW-enhanced GH shift. 展开更多
关键词 thin film thickness Bloch surface wave(BSW) Goos–H?nchen shift photonic crystal
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Controlling the Goos-H?nchen Shift via Incoherent Pumping Field and Electron Tunneling in the Triple Coupled InGaAs/GaAs Quantum Dots
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作者 R.Nasehi S.H.Asadpour +1 位作者 H.Rahimpour Soleimani M.Mahmoudi 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期55-59,共5页
We study the controlling of the Goos-Hanchen (GH) shifts in reflected and transmitted light beams in the triple coupled InGaAs/GaAs quantum dot (QD) nanostructures with electron tunneling and incoherent pumping fi... We study the controlling of the Goos-Hanchen (GH) shifts in reflected and transmitted light beams in the triple coupled InGaAs/GaAs quantum dot (QD) nanostructures with electron tunneling and incoherent pumping field. It is shown that the lateral shift can become either large negative or large positive, which can be controlled by the electron tunneling and the rate of incoherent pump field in different incident angles. It is also demonstrated that the properties of the OH shifts are strongly dependent on the probe absorption beam of the intracavity medium due to the switching from superluminal light propagation to subluminal behavior or vice versa. Our suggested system can be considered as a new theoretical method for developing a new nano-optoelectronic sensor. 展开更多
关键词 GaAs on it is of Controlling the goos-h?nchen shift via Incoherent Pumping Field and Electron Tunneling in the Triple Coupled InGaAs/GaAs Quantum Dots for in
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Enhancement and control of the Goos-Hanchen shift by nonlinear surface plasmon resonance in graphene
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作者 Qi You Leyong Jiang +1 位作者 Xiaoyu Dai Yuanjiang Xiang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期119-123,共5页
The Goos-H?nchen(GH) shift of graphene in the terahertz frequency range is investigated, and an extremely high GH shift is obtained owing to the excitation of surface plasmon resonance in graphene in the modified O... The Goos-H?nchen(GH) shift of graphene in the terahertz frequency range is investigated, and an extremely high GH shift is obtained owing to the excitation of surface plasmon resonance in graphene in the modified Otto configuration.It is shown that the GH shift can be positive or negative, and can be enhanced by introducing a nonlinearity in the substrate.Large and bistable GH shifts are demonstrated to be due to the hysteretic behavior of the reflectance phase. The bistable GH shift can be manipulated by changing the thickness of the air gap and the Fermi level or relaxation time of graphene. 展开更多
关键词 goos-h?nchen shift surface plasmon resonance nonlinear optics
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全反射SH地震波的Goos-Hinchen效应动校正时差 被引量:5
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作者 刘福平 王安玲 +2 位作者 李瑞忠 陈辉国 杨长春 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期2128-2134,共7页
利用SH地震波(偏振化方向垂直入射面的横波)在地层界面反射系数的附加相角导出了SH波GoosHnchen效应所引起的横向偏移和横向偏移渡越时间,给出了Goos-Hnchen效应正常时差公式,讨论了Goos-Hnchen效应对反射SH波正常时差的影响,绘... 利用SH地震波(偏振化方向垂直入射面的横波)在地层界面反射系数的附加相角导出了SH波GoosHnchen效应所引起的横向偏移和横向偏移渡越时间,给出了Goos-Hnchen效应正常时差公式,讨论了Goos-Hnchen效应对反射SH波正常时差的影响,绘出了横向偏移、横向偏移渡越时间、Goos-Hnchen效应正常时差及Goos-Hnchen效应正常时差校正量曲线.数值算例表明:对掠入射波或入射角在临界角附近的入射波,SH反射波的横向偏移、横向偏移渡越时间非常大,Goos-Hnchen效应对正常时差会产生较大的测量误差,在其他角度的入射波,横向偏移(横向偏移渡越时间)与波长(周期)为同一个数量级.横向偏移效应对SH反射波的传播走时影响是不可忽略的,因此在实际的地震资料处理中应进行横向偏移效应误差校正. 展开更多
关键词 goos-hnchen效应 SH地震波 横向偏移 正常时差 横向偏移渡越时间
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含各向异性特异材料三明治结构的Goos-Hnchen位移研究 被引量:1
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作者 赵玉环 张利伟 +4 位作者 王勤 李卫彬 李立新 赵军芳 杜桂强 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期463-468,共6页
采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-Hnchen(GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位... 采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-Hnchen(GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位移的条件及GH位移的正负情况.通过数值计算系统研究了各向异性特异材料的光轴与界面的夹角α、入射角φ以及特异材料厚度d对GH位移的影响,计算结果与理论分析有很好的吻合.通过对特异材料结构中GH位移的研究,将有利于特异材料在微波或光学系统中的应用. 展开更多
关键词 古斯-汉森位移 特异材料 各向异性 全反射
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非均匀介质透射波Goos-Hnchen位移的研究 被引量:2
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作者 毛红敏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第11期2952-2955,共4页
基于不变嵌入理论,推导出电磁波入射到非均匀介质平板,反射系数和透射系数的耦合波方程;利用稳态相位方法,分析了透射波Goos-Hnchen(GH)位移的性质。通过数值计算,研究了入射角和介质厚度对透射率及GH位移的影响。结果显示,介质厚度... 基于不变嵌入理论,推导出电磁波入射到非均匀介质平板,反射系数和透射系数的耦合波方程;利用稳态相位方法,分析了透射波Goos-Hnchen(GH)位移的性质。通过数值计算,研究了入射角和介质厚度对透射率及GH位移的影响。结果显示,介质厚度一定时,透射率在特定角度具有极大值,对应的透射波发生负的GH位移,并且位移绝对值最大;入射角不变时,透射率和GH位移随厚度呈周期性变化,厚度增加,透射率呈下降趋势,但GH位移呈增大趋势。GH位移受入射角和介质厚度的影响很大,因此,可以通过调节厚度和入射角,获得合适的透射率和GH位移。 展开更多
关键词 电磁波传播 goos-hnchen位移 非均匀介质 不变嵌入法
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消失态与Goos-Hnchen位移研究 被引量:9
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作者 黄志洵 《中国传媒大学学报(自然科学版)》 2009年第3期1-14,共14页
假定媒质1中有一个光束以入射角θ1向两媒质组成的界面入射,而界面两侧的媒质折射率为n1、n2(n1>n2),入射角大于临界角即θ1>θ1c=sin-1n2/n1;那么几何光学预期将发生全反射。但在实际上,光束进入了媒质2并在与界面平行方向前行... 假定媒质1中有一个光束以入射角θ1向两媒质组成的界面入射,而界面两侧的媒质折射率为n1、n2(n1>n2),入射角大于临界角即θ1>θ1c=sin-1n2/n1;那么几何光学预期将发生全反射。但在实际上,光束进入了媒质2并在与界面平行方向前行一段距离,然后才返回媒质1。反射光束的令人惊奇的平移于1947年由Goos和Hnchen测出。在媒质2中,波由两个波数所描述——与界面平行方向k||=k0n1sinθ1,与界面垂直方向的虚波数k⊥=jk0(n12sin2θ1-n22)^(1/2);而在垂直方向波呈指数式下降,即消失态。本文对消失态与GH位移作原理性研究,特别关注双界面问题。正如人们后来所知,部分反射时在入射波束与反射波束之间也有位移。然而,关于GH位移的精确理论至今尚不存在,实验研究变得重要了。例如,关于GHS谐振,关于反向GH位移,关于负群延时等等,均有待作进一步研究。 展开更多
关键词 goos-hnchen位移 消失态
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利用倏逝波的有效穿透深度推导Goos-Hnchen位移 被引量:4
12
作者 刘建 《大学物理》 北大核心 2002年第9期36-37,共2页
利用电磁波在界面上发生全反射倏逝波的有效穿透深度推导出了Goos-H nchen位移,并提出了一个与实际全反射过程等效的假设.
关键词 倏逝波 有效穿透深度 goos-haenchen位移 全反射 电磁波
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单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen位移
13
作者 王政平 王成 张振辉 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期523-528,共6页
左手材料是近几年兴起的一种新型人工材料,现有的左手材料大多数是各向异性的.因此对各向异性左手材料的研究非常重要.对光轴与界面成任意角度的单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen(GH)位移进行了研究.分别对入射波全反射和部分... 左手材料是近几年兴起的一种新型人工材料,现有的左手材料大多数是各向异性的.因此对各向异性左手材料的研究非常重要.对光轴与界面成任意角度的单轴各向异性左手材料薄层的Goos-Hnchen(GH)位移进行了研究.分别对入射波全反射和部分反射情形进行了研究,得到了GH位移的表达式.分析了入射角和光轴与界面的夹角对GH位移的影响,并对这两种情况下GH位移的符号进行了分析.研究发现,部分反射时反射波的GH位移与透射波的相等;薄层厚度逐渐增加时,透射波的GH位移振荡且呈整体增加,在透射共振点达到绝对极大值,它受入射角和光轴与界面的夹角的巨大影响. 展开更多
关键词 单轴各向异性 左手材料 goos-hānchen位移 全反射
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单负介质表面的Goos-Hnchen效应 被引量:1
14
作者 王筠 《贵州大学学报(自然科学版)》 2010年第6期33-35,共3页
从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-Hnchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角。对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-Hnchen位移、相移的符... 从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-Hnchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角。对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-Hnchen位移、相移的符号和大小随入射角大小以及单负介质的介电常数或磁导率的正负的改变而做周期性变化。 展开更多
关键词 goos-hnchen位移和相移 单负介质
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光在不同界面反射时的Goos-Hnchen位移
15
作者 杨绍甫 白建平 张耀举 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第1期22-24,共3页
分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-Hnchen位移.材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-Hnchen位移的影响被分析.
关键词 负折射率材料 goos-hnchen位移 吸收效应 极化波
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有限微波波束在对称双三棱镜结构中的Goos-Hnchen与Imbert-Fedorov位移研究
16
作者 曲敏 黄志洵 逯贵祯 《中国传媒大学学报(自然科学版)》 2010年第4期5-10,共6页
通过实验测量确立了对称双三棱镜结构内受阻全反射的能流模型,并且发现增大或减小两块棱镜的间距d,棱镜空气分界面上反射波束发生的Goos-Hnchen(GH)位移和Imbert-Fedorov(IF)位移也随之增大或减小。为了理论定量研究GH位移和IF位移,... 通过实验测量确立了对称双三棱镜结构内受阻全反射的能流模型,并且发现增大或减小两块棱镜的间距d,棱镜空气分界面上反射波束发生的Goos-Hnchen(GH)位移和Imbert-Fedorov(IF)位移也随之增大或减小。为了理论定量研究GH位移和IF位移,从经典电磁理论出发分析了有限Gauss平面波束通过对称双三棱镜后各分界面反射和透射场分布,从而基于能流模型计算出消失态Poynting矢量流中与位移有关的那部分能流。然后借助Renard能流法推出了新的GH位移和IF位移表达式。最后通过数值仿真得出位移随空气隙间距d的变化曲线,并将其与实验结论对比,结果表明所得的理论估算式是有效的。 展开更多
关键词 对称双三棱镜 goos-hnchen位移 Imbert-Fedorov位移 Renard能流法
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各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究
17
作者 黄艳艳 于忠卫 +1 位作者 吉正源 钱盈家 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期708-714,共7页
对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟... 对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz<0的情况下,频率ω分布在4~6GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大. 展开更多
关键词 负折射率 准左手化材料 古斯-汉森位移 各向异性
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一维光子晶体中亚波长缺陷膜对Goos-Hnchen位移的调制特性 被引量:1
18
作者 胡瑞红 施解龙 +1 位作者 侯鹏 肖剑峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1427-1431,共5页
利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现:一层几何厚度极小的亚波长薄... 利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现:一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的位置及其大小;并且当亚波长缺陷膜为左手材料时,Goos-Hnchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反. 展开更多
关键词 光子晶体 亚波长材料 goos-hnchen位移 复合缺陷
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基于液晶光阀和光束分析仪的Goos-Hnchen位移的简单测量
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作者 韩小红 杨艳芳 +2 位作者 何英 徐凯 李春芳 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期459-462,共4页
Goos-Hnchen(GH)位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难。提出了一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法。研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时,光的偏振态也随之变化。利用LCL... Goos-Hnchen(GH)位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难。提出了一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法。研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时,光的偏振态也随之变化。利用LCLV对光偏振态的调制和LBP记录光斑的重心位置的变化,直接测量出TE和TM两种偏振态入射时棱镜单界面反射光束的GH位移差。这个探测方法简单,不需要复杂的外部处理电路,且实验结果与理论结果很吻合,此方法也可以进一步直接测量二维位移。 展开更多
关键词 光电子学 goos-hnchen位移 液晶光阀 光束分析仪
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浸没环境对自负折射率薄膜表面反射光的Goos-Hnchen位移的影响
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作者 海福生 杨绍甫 张耀举 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第1期18-22,共5页
计算了光从真空-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-金属,正折射率介质-负折射率薄膜-真空以及真空-负折射率薄膜-正折射率介质四种复合结构中的负折射率薄膜表面反射的等效反射系数和GH位移.着重比较分析了在正折射率介质-负折射率... 计算了光从真空-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-金属,正折射率介质-负折射率薄膜-真空以及真空-负折射率薄膜-正折射率介质四种复合结构中的负折射率薄膜表面反射的等效反射系数和GH位移.着重比较分析了在正折射率介质-负折射率薄膜-真空,真空-负折射率薄膜-正折射率介质两种结构中正折射率材料的吸收效应对不同入射极化波的GH位移的影响. 展开更多
关键词 负折射率薄膜 goos-hnchen位移 材料的吸收效应 极化波
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