Selective Growth of ZnO Nanorods on SiO2/Si Substrates Using a Graphene Buffer Layer

为用在一个低温度答案过程的 graphene 缓冲区层的 SiO2/Si 底层上的 ZnO nanorods 的选择生长的有希望的策略被描述。ZnO nanorods 的高密度在一个大区域上被种，大多数 ZnO nanorods 在 graphene 上是垂直地排列得好的。而且， graphene 上的 ZnO nanorods 的选择生长被使用一个简单机械处理认识到，自从在 graphene 上形成的 ZnO nanorods 在原子水平上是机械地稳定的。这些结果被证明 ZnO-graphene 绑定有一个低 destabilization 精力的第一原则计算证实。另外，与 graphene 缓冲区层在 SiO2/Si 上种的 ZnO nanorods 比在赤裸的 SiO2/Si 上种的 ZnO nanorods 有更好光的性质，这被发现。nanostructured ZnO-graphene 材料在未来有有希望的应用灵活电子、光的设备。