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0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
1
作者
张海英
刘训春
+2 位作者
罗明雄
刘洪民
王润梅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1335-1337,共3页
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 ....
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。
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关键词
GAAS
phem
T
T形栅
激光调制驱动电路
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职称材料
题名
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
1
作者
张海英
刘训春
罗明雄
刘洪民
王润梅
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第10期1335-1337,共3页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 1)
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 2 CB3 1190 1)资助项目~~
文摘
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。
关键词
GAAS
phem
T
T形栅
激光调制驱动电路
Keywords
gs phem
T-shaped gate
DWDM driver circuits
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
张海英
刘训春
罗明雄
刘洪民
王润梅
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
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