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0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
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作者 张海英 刘训春 +2 位作者 罗明雄 刘洪民 王润梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1335-1337,共3页
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .... 0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。 展开更多
关键词 GAAS phemT T形栅 激光调制驱动电路
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