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不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取
1
作者
李垚
《微处理机》
2019年第1期1-5,共5页
采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率。运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极...
采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率。运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极和基极反向饱和电流等,其中基极反向饱和电流包括扩散项和复合项两部分。将参数提取结果与资料上的理论值进行了比较,结果基本一致,验证了提参结果的正确性,同时发现扩散电流项与面积成正比,而复合电流项与周长成正比。比较了不同尺寸SiGe HBT的参数提取技术,对大尺寸器件提取出IBO1和I B'O 1两个值,并给出了现象的相关解释。
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关键词
硅锗
异质结双极晶体管
多尺寸
gummel
图
参数提取
下载PDF
职称材料
题名
不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取
1
作者
李垚
机构
中国科学技术大学电子科学与技术系
出处
《微处理机》
2019年第1期1-5,共5页
文摘
采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率。运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极和基极反向饱和电流等,其中基极反向饱和电流包括扩散项和复合项两部分。将参数提取结果与资料上的理论值进行了比较,结果基本一致,验证了提参结果的正确性,同时发现扩散电流项与面积成正比,而复合电流项与周长成正比。比较了不同尺寸SiGe HBT的参数提取技术,对大尺寸器件提取出IBO1和I B'O 1两个值,并给出了现象的相关解释。
关键词
硅锗
异质结双极晶体管
多尺寸
gummel
图
参数提取
Keywords
SiGe
Heterojunction bipolar transistor
Various sizes
gummel plot
Parameter extraction
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
不同尺寸SiGe HBT Gummel图的参数提取
李垚
《微处理机》
2019
0
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职称材料
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