Gunn效应的一个理论模型和自激振荡频率特性的分析

用一个具有负微分迁移率的电子漂移速度函数概括RWH机制，给出Gunn效应的六耦合模方程组，并对Gunn自激振荡的频率特性进行了数值计算，其结果与实验符合比较好．

Gunn振荡的耦合模方程组和微波场中的锁模特性

在分析Gunn效应的耦合模方程组的基础上，进行截断近似．采用六耦合模方程组对微波场中Gunn振荡进行了数值计算，得到倍周期锁模特性．在微波场强度变化的一定范围内，倍周期模式锁定不变．其结果比较好．

能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用

通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用．

Landau-Hopf道路到混沌

从描述半导体中Gunn振荡的宏观动力学方程出发,在一定的近似条件下得到了一个四维微分方程。当此方程与外加周期振子耦合时,其数值计算结果表现出经Landau-Hopf道路到混沌。

异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。