H_4^+形成机制的初步研究

利用Penningiontrap存储和累积离子的功能 ,获得不同延时 (即反应时间 )的离子谱H+n(n≤ 4) ,不仅进一步证实了H+4 具有稳定结构的理论预言 ,而且经分析得出 ,H+4 是经碰撞反应H+2 +H2 →H+4 ;H+3 +H +H2 →H+4 +H2 产生的。

分子内的Heck反应

本文从成环的规律,影响反应的因素,产物中新生成双键的位置,以及不带β-H 的碳—钯中间体的捕获等几个方面论述了分子内 Heck 反应的最新进展。

MgF_2中STE转化为F-H对微观机制的研究

文章在单电子Hartree-Fork近似的基础上采用扩展离子方法研究了MgF2晶体中自陷态激子STE转化为F-H对的微观物理机制,结果发现稳定的F-H对只能由STE的空穴激发态产生,最后我们建立了激发态空穴跳跃扩散的模型来解释这种形成机制。

800H和690合金的氢渗透及氢脆研究前瞻

综述了铁镍基和镍基高温合金中氢的渗透和氢脆的决定性影响因素棗氢陷阱和表面氧化保 护膜对这类合金抗氢渗透和氢脆性能的影响,提出了针对欲用作深海潜器小型核动力装置细棒状U-ZrH1.6燃料元件包壳的800H合金和690合金的抗氢渗透和氢脆性能评价需重点研究的方向。

采用低剂量H^+注入技术制备绝缘体上锗材料

利用离子剥离技术在Ge晶圆上制备绝缘体上锗(GOI)时,高剂量H+注入会导致Ge晶格损伤,而且剥离后Ge表面粗糙度较大。为了解决以上问题,在Si衬底上外延Ge/Si0.7Ge0.3/Ge异质结构代替纯Ge制备GOI,研究了异质结构样品有效剥离的临界H+注入条件和相应的GOI表面粗糙度。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)对样品在H+注入和剥离后的裂缝形成过程、表面形貌、界面晶格损伤等进行观察和表征。实验结果表明,由于超薄Si0.7Ge0.3层对注入H+的吸附作用,剥离临界H+注入剂量由5.0×1016 cm-2下降到3.5×1016 cm-2,且在降低注入成本的同时也有效减少了H+注入对Ge晶格的损伤;由于剥离只发生在超薄Si0.7Ge0.3层,GOI表面粗糙度降低到1.42 nm (10μm×10μm)。该方法为制备高质量GOI材料提供了一种新思路。

4H-SiC MESFET结构与直流特性研究

运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。

泵用齿轮副困油卸荷的H型侧隙结构研究

为满足齿侧间隙在外啮合齿轮泵传动性能和困油性能上的不同需要,提出了一种位于从动齿轮非工作面上的"大-小-大"H型侧隙结构。首先,通过对齿轮泵困油过程的分析,从双齿啮合区内两困油区的连通和单齿啮合区内困油性能的完善两方面出发,建立了连通用和卸荷用侧隙的面积计算公式;然后,根据所确定的最小侧隙面积,计算出H型侧隙结构的几何尺寸;最后,提出一种双微圆贯通型卸荷槽,实现双齿啮合区的困油卸荷。实例分析结果表明:无论侧隙大小如何变化,都不存在绝对连通和绝对卸荷,只有在一定许可压差下的相对连通和相对卸荷;即使侧隙连通区实现了真正的连通,该区内的困油问题仍没有得到解决,需辅以额外的卸荷槽加以卸荷;"大-小-大"H型侧隙结构,既满足了齿轮传动的性能要求,也极大地提高了泵的困油性能;齿轮齿槽根部的两端面圆形除料和双微圆对称贯通型卸荷槽能提供足够的卸荷面积。研究结果表明H型侧隙结构、齿槽根部的两端面圆形除料和双微圆对称贯通型卸荷槽的组合充分满足了齿轮传动性能和困油性能的要求,且具有结构简单、易加工等特点,为消除外啮合齿轮泵困油的危害提供了一种新的卸荷结构。

a－Si：Hp－i－n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a－Si：H太阳能电池稳定性研究

本文基于我们的实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：ＨＰ－ｉ－ｎ型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明，随着光辐照发生的载流子俘获所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区（低场“死层”）的出现。这是ａ－Ｓｉ：Ｈｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一条提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。

a－Si∶H Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因．

基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型

对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。

X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu^(2+)的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在晶体中形成两种卤素离子的F-H’心对.当用F心吸收带的光波激励样品时,两种F—H心对衰变成相应的自陷激子态并复合发光.310nm和380nm分别对应于F-离子和Cl-离子的自陷激子的发光,并且它们的发光强度强烈地依赖于温度的变化。

几种害虫夜间上灯节律分析与应用研究

对非洲蝼蛄 (GryllotalpaafricanaPalisotdeBeauvios)、暗黑金龟 (HolotrichiaparllelaMotschulsky)和铜绿金龟 (ApomalacorpulentaMotschulsky)成虫在 3种不同诱虫灯下的夜间上灯节律进行了研究。表明在 3种不同灯下 ,上述 3种害虫的上灯节律基本趋于一致 ,全夜各有 1个上灯高峰 ,均在开灯后 1h内 ,上灯比例分别为全夜的 37 39%、 40 49%和 48 2 0 %。进行综合各灯种逐时段的上灯累积百分率分析 ,发现该 3种害虫到凌晨 1∶0 0止 ,累积上灯百分率分别为全夜诱虫量的 88 69%、 88 30 %和 85 63% ,据此 ,可以结合田间实际虫情和防治要求 ,将凌晨 1∶0 0确定为最佳关灯时间 ,以节约诱虫成本。

氟化镁晶体中自陷态激子结构的研究

本文采用单电子Hartree-Fork近似基础上的扩展离子方法研究MgF2 晶体中的自陷态激子(STE)的结构。研究表明这种晶体中的STE实际上是具有C1 位形的最近邻的F-H对。对于STE光谱研究的理论结果与实验相符合。

冬枣园绿盲蝽绿色防控技术体系构建与示范

在山西临猗进行了枣园绿盲蝽Apolygus lucorum(Meyer-Dür)绿色防控技术的研究和示范。组建"冬剪残桩、寄生蜂释放、性诱剂诱捕、生物制剂喷施"为主要措施的枣园绿盲蝽绿色防控技术体系。结果表明,人工大量释放红颈常室茧蜂Peristenus spretus Chen et van Achterberg、绿盲蝽性诱剂等技术后,冬枣幼果(疏果前)和果实(疏果后)受害率在绿色防控园分别为14.4%和4.2%,与农户常规防治园的差异不显著;红颈常室茧蜂对绿盲蝽若虫的平均寄生率为37.5%,显著高于农户常规防治园的6.2%;每公顷枣园总计诱集到30 749头绿盲蝽成虫,平均每个诱捕器能诱捕到绿盲蝽成虫(683.3±23.1)头。6-8月绿色防控园绿盲蝽的数量(5.05±0.86)头/百枝,显著低于农户常规防治园(12.71±2.22)头/百枝。绿色防控技术完全替代化学防治,有效控制了枣园绿盲蝽的种群发生与为害。

氢化非晶硅局域态电荷密度的解析统一模型

本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。最后将该解析模型与现有的发表结果进行了比较，并由此分析了非晶硅场效应晶体管的迁移率。这种模型是研究非晶硅中的电荷俘获过程及非晶硅器件（如a－Si：HTFT）特性的必要基础。

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应──PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，载流子俘获效应所造成的α－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区（低场“死层”）的出现，使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了α－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。

氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究

发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。

粘鼠胶的成分分析

使用各种分离、分析手段剖析粘鼠胶的组成.首先使用适当溶剂,通过分级沉淀分离粘鼠胶的各组分,然后用傅立叶变换红外光谱仪、核磁共振波谱仪对分离后的组分进行结构鉴定.

用电喷雾离子阱质谱法对SFZ-47在家兔体内两主要代谢物的分析

以ＨＰＬＣ对家兔单剂量口服１００ｍｇ新抗炎镇痛剂ＳＦＺ４７［３Ｈ１，２二氢２（４甲基苯胺基）甲基１吡咯里嗪酮］后尿中的两主要代谢物进行了分离、制备，再用电喷雾离子阱质谱法对代谢物分别进行结构鉴定．结果表明，采用负离子ＥＳＩＭＳ３检测方式，对代谢物ＳＦＺ４７羧基衍生物［４（３Ｈ１。

非晶硅薄膜太阳能电池研究进展

介绍了非晶硅薄膜太阳能电池的发展现状及制约非晶硅薄膜太阳能发展的两个关键性因素:转化效率低、光致衰减。对近年来提高非晶硅薄膜太阳能转化效率的新技术和非晶硅薄膜太阳能电池光致衰减的特性及模型进行综叙;重点阐述窗口层材料、中间层、叠层电池等提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率的新技术。文章最后对非晶硅膜太阳能电池未来的发展趋势进行了展望。