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差分对结构pH-ISFET传感器的研制 被引量:1
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作者 牛蒙年 丁辛芳 +1 位作者 袁璟 童勤义 《传感器技术》 CSCD 1995年第1期25-27,共3页
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参... 报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。 展开更多
关键词 H^+离子传感器 传感器 ISFET 差分放大
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