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差分对结构pH-ISFET传感器的研制
被引量:
1
1
作者
牛蒙年
丁辛芳
+1 位作者
袁璟
童勤义
《传感器技术》
CSCD
1995年第1期25-27,共3页
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参...
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。
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关键词
H^+
离子
传感器
传感器
ISFET
差分放大
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职称材料
题名
差分对结构pH-ISFET传感器的研制
被引量:
1
1
作者
牛蒙年
丁辛芳
袁璟
童勤义
机构
东南大学
出处
《传感器技术》
CSCD
1995年第1期25-27,共3页
文摘
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。
关键词
H^+
离子
传感器
传感器
ISFET
差分放大
Keywords
H ̄+-ion sensor Daul ISFET Differential amplifer Au counter-electrode
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
差分对结构pH-ISFET传感器的研制
牛蒙年
丁辛芳
袁璟
童勤义
《传感器技术》
CSCD
1995
1
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