H^+-ISFET传感器及其工作特性研究

在对H+-ISFET传感器基本结构和工作原理分析的基础上,采用PSPICE仿真的方法讨论了传感器在不同pH值、不同沟道尺寸、不同温度等情况下的电流电压关系。

氧化钨pH电化学传感器的H^+响应行为研究

采用WO3作为H+响应敏感材料,制备了WO3pH电化学传感器,对传感器的H+响应行为,如响应范围、响应灵敏度、响应时间等影响因素进行了分析。制备WO3工作电极的热处理温度对传感器的H+响应灵敏度与速度有影响,H+响应速度与溶液pH和温度有关,溶液中Na+,K+,F-对H+响应行为没有影响,但是受到I-,NO3-的干扰。

采用H^+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制

上消化道 pH值记录仪是为临床医学上对胃、食管的 pH值进行长时间监测而专门设计的仪器。本文介绍了一种便携式的上消化道 pH值记录仪的研制。它采用H+ ISFET和内参比电极组成的双通道上消化道pH值传感器 ,以高性能的嵌入式微控制器为控制核心 ,在 2节普通 5号电池供电、采样间隔 4s、同时记录 2通道 pH值的条件下可稳定工作 2 4h以上 ,pH值测量误差小于 0 .1。仪表轻便 ,重量仅 15 0 g ,并具有性能稳定 ,使用简便 ,低功耗 ,低成本等优点。

PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨

本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。

差分对结构pH－ISFET传感器的研制

报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。

H^+-ISFET失效分析与工艺改进

作者以提高H^+-ISFET可靠性为目的,对它的失效现象进行了探讨,并提出了防止这种失效现象的方法.1 H^+-ISFET输出特性劣化现象本实验所分析的H^+-ISFET均为n沟道耗尽型,其结构剖面及封装如图1所示.

热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨

本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H^+-ISFET的响应特性.