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H型栅NMOS器件Kink效应的研究
1
作者
徐大为
彭宏伟
+2 位作者
秦鹏啸
王青松
董海南
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024年第1期55-60,共6页
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测...
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。
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关键词
h
型
栅
nmos
KINK效应
PDSOI
总剂量辐照
TCAD
下载PDF
职称材料
深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟
被引量:
2
2
作者
薛海卫
张猛华
杨光安
《电子技术应用》
2019年第12期59-61,66,共4页
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流...
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10^9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。
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关键词
瞬时剂量率效应
三维数值模拟
深亚微米SOI
h型nmos
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职称材料
题名
H型栅NMOS器件Kink效应的研究
1
作者
徐大为
彭宏伟
秦鹏啸
王青松
董海南
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024年第1期55-60,共6页
文摘
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。
关键词
h
型
栅
nmos
KINK效应
PDSOI
总剂量辐照
TCAD
Keywords
h
-gate
nmos
Kink effect
PDSOI
total ionizing dose irradiation
TCAD
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟
被引量:
2
2
作者
薛海卫
张猛华
杨光安
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
东南大学
出处
《电子技术应用》
2019年第12期59-61,66,共4页
文摘
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10^9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。
关键词
瞬时剂量率效应
三维数值模拟
深亚微米SOI
h型nmos
Keywords
transient dose rate effect
3D numeric simulation
submicro SOI
h
-type
nmos
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H型栅NMOS器件Kink效应的研究
徐大为
彭宏伟
秦鹏啸
王青松
董海南
《电子元件与材料》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟
薛海卫
张猛华
杨光安
《电子技术应用》
2019
2
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职称材料
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