B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变（英文）

室温下将130 keV,5×1014cm 2B离子和55 keV,1×1016cm 2H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷,并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示,在顺次注入的样品中,B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。