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题名基于H桥拓扑结构的励磁电流放大器
被引量:11
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作者
翟小飞
刘德志
欧阳斌
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机构
海军工程大学电力电子研究所
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第5期114-118,共5页
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文摘
利用H桥电路拓扑构建励磁电流放大器,该拓扑结构只需要两个IGBT功率管,结构简单,有效缩减了励磁设备的体积并降低了成本。建立了该放大器的数学模型和仿真模型,给出了相应的仿真和试验结果。仿真和试验表明,H桥拓扑结构的励磁电流放大器,具有快速动态性能,对直流电源输出电流幅值的要求低且放电速度快。该电流放大器的PWM控制信号的占空比D在0.5~0.8之间,弥补了Buck电路放电较慢和在特殊工况时PWM占空比较小的不足。
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关键词
励磁电流放大器
h桥拓扑结构
占空比
PI控制
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Keywords
Exciter field current amplifier, h bridge topology circuit, duty rate, PI control
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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