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基于H桥拓扑结构的励磁电流放大器 被引量:11
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作者 翟小飞 刘德志 欧阳斌 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期114-118,共5页
利用H桥电路拓扑构建励磁电流放大器,该拓扑结构只需要两个IGBT功率管,结构简单,有效缩减了励磁设备的体积并降低了成本。建立了该放大器的数学模型和仿真模型,给出了相应的仿真和试验结果。仿真和试验表明,H桥拓扑结构的励磁电流放大器... 利用H桥电路拓扑构建励磁电流放大器,该拓扑结构只需要两个IGBT功率管,结构简单,有效缩减了励磁设备的体积并降低了成本。建立了该放大器的数学模型和仿真模型,给出了相应的仿真和试验结果。仿真和试验表明,H桥拓扑结构的励磁电流放大器,具有快速动态性能,对直流电源输出电流幅值的要求低且放电速度快。该电流放大器的PWM控制信号的占空比D在0.5~0.8之间,弥补了Buck电路放电较慢和在特殊工况时PWM占空比较小的不足。 展开更多
关键词 励磁电流放大器 h桥拓扑结构 占空比 PI控制
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