CoO_(x)/h-S-1催化剂制备及其催化硫醇氧化偶联合成二硫化物性能

以正硅酸乙酯为硅源、四丙基氢氧化铵为模板剂,引入具有撑层扩孔作用的N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷,采用水热合成法制备多级孔分子筛h-S-1。通过浸渍法制备负载金属氧化物纳米簇的CoO_(x)/h-S-1复合催化剂,并将其用于催化硫醇氧化偶联反应。XRD、BET、XPS、SEM、TEM等表征结果表明,催化剂具有良好的MFI型拓扑结构,Co物种主要以Co_(3)O_(4)聚集体形式存在,在分子筛载体上分散良好,且CoO_(x)通过Co—O—Si键与分子筛存在较强相互作用。CoO_(x)/h-S-1对硫醇氧化偶联反应具有良好的催化活性,在优化条件:Co负载量3%、催化剂用量50 mg、溶剂2 mL甲醇、在60℃下反应6 h,以辛硫醇为探针分子,转化率达91%,二硫化物选择性100%。该催化剂硫醇底物适用范围广,且对于不同硫醇之间的交叉偶联反应制备不对称二硫化物也有较好的催化效果。报道了一条绿色高效的硫醇氧化偶联路径,对工业上硫资源的高价值利用和含硫精细化学品的绿色制备具有重要意义。

H-S管激励振荡流动的数值模拟及实验研究

Hartmann-Sprenger(H-S)管在一定条件下,可以使射流气体产生按一定频率激励的强烈振荡。对H-S管的振荡流动进行了数值模拟和实验研究。数值模拟结果显示出H-S管在吞吐模式下流场的周期变化,在对应的试验瞬态纹影图上,则观察到相应的吞吐射流气体,揭示了H-S管激励的工作机理。通过大量的实验研究,对小管径共振管的频率估算公式进行了修正,提高了振荡频率估算的准确度,为以后设计给定激励频率的射流喷嘴奠定了基础。

H-S波前传感器在测量光束质量因子M^2中的应用

仿真研究了H-S测量2M因子等光束质量指标的全过程和可行性。结果表明,由H-S测量的圆形光束的2M因子值与原始光束的2M因子值基本相当,有很好的一致性。由此认为,H-S除了可以评价远场测量系统探测得到的光斑的各种量,比如PSF,OTF,衍射极限,环围能量等远场特性,而且还可以从2M因子来说明光束质量的特性。

亚砷酸钠对SH-SY5Y细胞生长和3MST表达的影响

神经母细胞瘤是儿童最常见的恶性肿瘤之一。因其恶性程度高，手术加化疗的方案对于侵润性的神经母细胞瘤效果不佳。砷，俗名砒霜，很早被用来治疗急性粒性白血病。现在发现砷对神经母细胞瘤、胶质瘤，以及来源于肝脏、前列腺、肾脏、子宫颈和胆囊等固体肿瘤也有效［1］。然而，其作用机制尚未完全明了。有报道，肿瘤细胞H2 S合成酶表达上调［2］。那么，砷是否可通过下调H2 S合成酶的表达发挥抗癌作用？本实验采用SH－SY5Y细胞和亚砷酸钠（ NaAsO2）对此问题进行了探讨。

穿越流场激光像差特性的动态测量——H-S波前传感器方法

用H-S(Hartmann-Shack)波前传感器可以精确测量穿过超声速流场的激光动态波面及其变化过程,进一步计算还可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。讨论了利用H-S波前传感器测量穿过超声速流场激光波面的原理,并采用模式法进行波前重构,得到了在几种流场条件下的激光波面像差特性如PV和RMS、各阶Zernike像差系数,环围能量分布和Strehl比等。结果表明,采用H-S传感器进行测量、并用模式法进行波前重构可以较好反映流场建立、稳定和结束过程中各阶Zernike像差的变化。比较无流场和给定参数的超声速流场,激光穿越后产生的最明显变化为离焦A3和低阶像散A5的增大。

基于H-S波前传感器的正支共焦腔调腔方法的研究

采用H-S波前传感器对于非稳腔进行了实验调腔技术研究,指出了正支共焦腔调腔的原则,以输出光束近场强度和相位分布这一双重依据作为谐振腔是否调好的标准。进行非稳腔调腔时,首先应当保证整个光路共光轴使输出强度分布均匀,但此时光束中可能还包含离焦等高阶像差,因此在腔外用Hartmann-Shack波前传感器进行光束相位测量,得到了35阶像差Zernike系数、波面PV和RMS值,进一步计算得到远场分布和环围能量曲线等。从而可以全面了解输出光束质量,并能有针对性地对光腔进行调整,从而达到较理想的光腔调整共轴状态。

基于H-S直方图的苹果着色率检测算法研究

针对用机器视觉的方法检测苹果着色率时检测结果容易受图片亮度影响的问题,文中提出了一种基于H-S直方图的苹果表皮着色率检测算法。该算法用红绿黄3种不同颜色的少量样本图片生成不同的H-S直方图。检测着色率时,提取图像中每个像素的色度值与饱和度值,用H-S直方图分析苹果表面红色区域所占的比例得出苹果表面的着色率。试验结果显示,该方法可以有效地检测出苹果表面的着色率,得到的检测结果与人眼观测的结果基本一致,平均误差小于8.3%,且检测结果不易受图片亮度的影响。

H-空间中的广义H-S-KKM定理及其应用

在Ｈ空间中得到一个广义ＨＳＫＫＭ定理．应用该定理，得到Ｈ空间中广义拟变分不等式解的存在性定理及一个极大极小不等式定理。

H-S管对超声速欠膨胀自由射流的激励

将激励装置Hartmann-Sprenger(H-S)管集成到传统物超声速射流装置中,来激励射流剪切层中的大尺度结构,并利用纹影成像对其进行实验研究.通过对瞬态纹影图和时均纹影图的分析表明有激励射流可以有效增大射流的扩散宽度,并且在2.2kHz以上激励频率的情况下均有明显的激励效果,扩散宽度相对于无激励情况,增大了近70%.

采用H-S波前传感器探测虚共焦非稳腔输出光束波前像差

在腔内失调理论分析基础上,实验研究了无源虚共焦非稳腔失调前、后输出光束波前像差特性。结果表明,用Hartmann-Shack波前传感器进行探测,并用模式法进行波前重构可以较好反映输出光束波前像差,虚共焦腔耦合输出调腔光的波前Zernike像差主要集中在前15阶,其中比较显著的像差有离焦Z3、低阶像散Z4和Z5、以及球差Z10。且腔内倾斜扰动对光束强度分布有显著的影响,可能引起某些Zernike高阶像差如离焦、慧差和像散的增加,但首先带来的是Zernike倾斜像差的增大。因此在作腔内像差补偿时,应首先考虑腔内倾斜像差的补偿。

基于H-S波前传感器的正支共焦腔准直技术研究

采用H-S波前传感器对非稳腔进行了实验调腔技术研究,指出了正支共焦腔调腔的原则,以输出光束近场强度和相位分布这一双重依据作为谐振腔是否调好的标准。进行非稳腔调腔时,首先应当保证整个光路共光轴使输出强度分布均匀,但此时光束中可能还包含离焦等高阶像差,因此在腔外用Hartmann-Shack波前传感器进行光束相位测量,得到了35阶像差Zernike系数、波面PV和RMS值,进一步计算得到环围能量曲线等,从而可以全面了解输出光束质量并能有针对性地对光腔进行调整,达到较理想的光腔共轴状态。

模拟H-S传感器进行波前重构新方法

提出了一种软件模拟H-S传感器进行波前重构的新方法。根据重构矩阵与待测波前无关的性质,利用软件动态生成模拟的H-S传感器,并结合图像处理技术,分析经小孔采样后的子孔径光斑阵列,从而重构出实际待测光斑的波阵面。这种方法采用间接光斑测量体制,能够直接测量大口径光斑的波前分布;同时模拟H-S传感器的大小和采样点数根据选取的小孔板动态可变,能够适应不同精度要求的测量。

6H-SiC单晶的生长与缺陷

采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。

用H-S波前传感器测量穿过超声速流场的激光像差特性

用Hartmann-Shack(H-S)波前传感器可以准确测量穿过超声速流场的激光波面及其变化过程,进一步计算可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。给出了H-S方法测量穿过超声速流场激光波面的原理,采用模式法进行了波前重构,计算了在几种流场条件下的激光波面像差特性PV值,RMS值和Zernike像差系数、Strehl比和环围能量曲线等。结果表明,H-S法可以很好地反映流场建立、稳定和结束过程中Zernike像差的变化。比较无流场和给定参数的超声速流场,激光穿越后产生的最明显的像差变化为离焦和低阶像散的增大。在相同流场参数下,无模型时光束质量好于有模型时光束质量。

用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成

利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。

扇形子孔径布局H-S传感器对圆域的探测性能研究

通过Zernike模式波前重构算法进行计算机仿真计算,对扇形子孔径布局的Hartmann-Shack波前传感器探测性能进行仿真研究,对比分析了方形子孔径布局Hartmann-Shack波前传感器的探测性能。结果表明,扇形子孔径布局是一种有效的Hartmann-Shack波前传感器的布局方式,在低子孔径密度且孔径数目差异不多的条件下,比方形孔径布局探测精度更高。

4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型

提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。

不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响(英文)

在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响。结果表明,在较高的栅压下,限制沟道迁移率的主要机制是表面粗糙度散射,然而,表面粗糙度数值的大小对迁移率的影响不大。结果同时表明,迁移率的峰值会随着温度的增加而增加,然而,对于更高的温度,峰值会随着温度的继续增加而减小。

TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响

研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。

具有H-S微结构复合介质的有效非线性响应

分析了具有Hashin Shtrikman(H S)微结构非线性颗粒被无规地嵌入在线性基质中系统的有效非线性响应 ,给出了系统的有效非线性极化率随非线性组分的体积分数f、结构参数δ及非线性指数β的变化规律 ,发现系统的非线性极化率获得了增强 .